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HAT2280R-VB 產品詳細

產品簡介:

HAT2280R-VB MOSFET 產品簡介

HAT2280R-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,採用 SOP8 封裝。它設計用於高電流和高效能應用,提供卓越的開關性能和低導通電阻。該 MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 為 30V,柵源極電壓 (VGS) 允許 ±20V 的高電壓範圍,使其在各種電壓條件下都能穩定工作。HAT2280R-VB 的柵極閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,能夠在較低的控制電壓下實現高效開關。採用 Trench 技術,這款 MOSFET 實現了非常低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS 為 4.5V 時為 11mΩ,在 VGS 為 10V 時為 8mΩ,支持高達 13A 的連續漏極電流 (ID)。這種設計使其非常適合用於要求高電流和低功耗的應用場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
HAT2280R-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package):** SOP8
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS):** 30V
- **柵源極電壓 (VGS):** ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID):** 13A
- **技術類型 (Technology):** Trench 技術

領域和模塊應用:

HAT2280R-VB 應用領域與模組示例

1. **電源管理:** HAT2280R-VB 在電源管理系統中表現優異,特別是在 DC-DC 轉換器和電源路徑管理模組中。其低導通電阻和高電流能力使其能夠有效降低功耗,提高系統效率,適合於高功率密度的電源管理應用。

2. **電機驅動:** 在電機驅動應用中,如步進電機和直流電機驅動器,HAT2280R-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其能夠提供穩定的電流支持。這種特性對於電機的控制精度和系統的整體效率至關重要,適用於高電流和高效能的電機驅動系統。

3. **負載開關:** 由於其低導通電阻和高電流能力,HAT2280R-VB 是負載開關應用的理想選擇。它可以在高負載和高電流條件下高效地進行開關操作,適合於電池管理系統和高功率開關模組,如負載切換和電流控制應用。

4. **消費電子產品:** 在消費電子設備中,如智能手機、平板電腦和可攜式設備,HAT2280R-VB 的緊湊封裝和高效能使其成為電源路徑控制和電池管理的理想選擇。其高電流能力和低功耗特性能夠幫助提升設備的整體性能和電池壽命,特別是在高功率需求的情況下。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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