產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±80V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-3.9A |
|
|
46/100mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±80V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-3.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±80V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-3.9A |
|
Trench |
二、HAT3032RJ-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙通道(N型 + P型)MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: ±80V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**:
- N型通道: 1.8V
- P型通道: -1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- N型通道:
- 59mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- P型通道:
- 126mΩ @ VGS = 4.5V
- 100mΩ @ VGS = 10V
- **額定漏極電流(ID)**:
- N型通道: 5.3A
- P型通道: -3.9A
- **技術**: Trench技術
- **封裝形式**: SOP8
領域和模塊應用:
三、應用領域及模組
HAT3032RJ-VB 的高電壓承受能力和雙通道配置使其在多個領域和模組中表現突出:
1. **電源管理**: HAT3032RJ-VB 可用於高壓電源管理應用,例如DC-DC轉換器和開關電源。其雙通道配置允許在同一封裝中實現高效的電源開關和控制,提高了電源管理系統的靈活性和效率。
2. **H橋電路**: 在需要雙極性控制的電機驅動應用中,HAT3032RJ-VB 可以用作H橋電路中的開關元件。它能夠提供穩定的開關性能,並高效地驅動直流電機或步進電機,廣泛應用於電動車、自動化設備和機器人系統中。
3. **電源保護**: 該MOSFET 適用於高壓電源保護電路,能夠有效控制和保護電源系統免受過壓或過流的影響。其雙通道配置提供了高效的雙極性控制,確保電源系統的穩定性和可靠性。
4. **高壓開關控制**: HAT3032RJ-VB 的雙通道設計使其適用於高壓開關控制應用,例如高壓繼電器和開關電源中的高壓開關控制。它能夠在高電壓條件下穩定運行,確保系統的可靠性和安全性。
這些應用展示了HAT3032RJ-VB 在電源管理、電機驅動、電源保護和高壓開關控制中的廣泛用途,確保在高電壓和雙極性控制環境下的穩定性和性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性