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HFP35N75-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

HFP35N75-VB是一款高性能N溝道MOSFET,採用TO220封裝,並基於Trench技術。其設計允許其在80V的漏源電壓下穩定工作,支持高達100A的連續漏極電流。該MOSFET具有低導通電阻和優異的開關特性,非常適合用於高電流、高效率的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
詳細參數說明

- **型號**: HFP35N75-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **高電流開關應用**: HFP35N75-VB因其高達100A的漏極電流能力,非常適合用於高電流開關應用,例如電源管理系統和大功率開關電源。這些應用要求MOSFET能夠處理大電流,同時保持低導通電阻以提高效率。

2. **電機驅動**: 在電機驅動系統中,HFP35N75-VB能夠提供穩定的開關性能和高電流處理能力。它適用於電機控制電路中,需要高電流和高效率的場景,確保電機的高效運行和精准控制。

3. **高功率負載開關**: 由於其低導通電阻和高電流能力,這款MOSFET非常適合用於高功率負載開關,如高功率LED驅動和大功率負載控制。它能夠在高負載條件下提供穩定的開關性能,減少功率損失。

4. **電源管理**: HFP35N75-VB在電源管理應用中可以用作高電流電源開關和調節器。例如,在高效率的DC-DC轉換器中,該MOSFET可以有效地開關大電流,優化系統的整體能效。

HFP35N75-VB憑藉其高電流處理能力、低導通電阻和優良的開關性能,為高電流開關、電機驅動、高功率負載開關和電源管理等領域提供了卓越的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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