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HFP640-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

HFP640-VB是一款高電壓N溝道MOSFET,採用TO220封裝,基於Trench技術。它具備200V的漏源電壓耐受能力和30A的連續漏極電流,適合於高電壓應用場合。該MOSFET的設計旨在提供穩定的開關性能和高效的電流處理能力,非常適合用於需要高電壓耐受性和可靠性的電子電路中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
詳細參數說明

- **型號**: HFP640-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **高電壓電源開關**: HFP640-VB的200V漏源電壓能力使其非常適合用於高電壓電源開關應用。例如,它可以在高電壓電源管理系統中高效地開關負載,如高壓DC-DC轉換器和AC-DC電源適配器,確保電源系統的安全和穩定。

2. **電機驅動**: 在需要高電壓和高電流的電機驅動應用中,HFP640-VB提供了優良的性能。它可以在電機控制電路中穩定工作,適用於大功率電機的驅動和控制,保證系統的高效運行。

3. **高功率負載開關**: 由於其高電壓耐受性和低導通電阻,該MOSFET適用於高功率負載開關應用。它能夠在高電壓負載條件下穩定工作,例如用於高功率LED驅動和大功率負載控制,提供可靠的開關性能。

4. **電源保護**: HFP640-VB還可以用於電源保護電路中,例如在過電壓保護和過流保護系統中。其高電壓承受能力和穩定的開關特性能夠有效地保護電路免受高電壓和高電流的影響,確保系統的安全性。

HFP640-VB憑藉其高電壓承受能力、穩定的開關性能和高電流處理能力,為高電壓電源開關、電機驅動、高功率負載開關和電源保護等領域提供了優秀的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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