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HM12N60B-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**HM12N60B-VB** 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,採用 TO220 封裝,設計用於高電壓應用中。該 MOSFET 具有最高 650V 的漏極-源極電壓和相對較低的導通電阻,適合在需要處理高電壓和中等電流的開關電路中使用。利用 SJ_Multi-EPI 技術製造,它能夠提供穩定的性能和可靠的操作,特別適合於高電壓開關和電源管理應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明

- **型號**: HM12N60B-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

適用領域和模組

1. **高電壓電源管理**
HM12N60B-VB 的高耐壓能力使其非常適合用於高電壓電源管理系統。例如,它可以應用於高壓 DC-DC 轉換器、功率供應模組以及逆變器中,能夠有效處理高電壓開關任務,確保系統的穩定性和可靠性。

2. **電機驅動**
在電機驅動電路中,尤其是需要高電壓的直流電機或交流電機驅動系統中,HM12N60B-VB 的高耐壓和適中的導通電阻能夠提供穩定的開關控制,適合於工業和家用電機控制應用。

3. **高壓負載開關**
適用於高壓負載開關應用,如電力開關設備和高壓負載控制。它能夠處理高電壓條件下的開關操作,適合用於電源分配和保護電路中。

4. **電力轉換器**
在高功率電力轉換器中,如升壓轉換器或降壓轉換器,HM12N60B-VB 的高電壓耐受能力和相對低的導通電阻可以幫助提高轉換效率,並處理高功率電流。

5. **家用電器**
用於家用電器中的開關控制,例如電熱水器、電爐和高壓燈具等。該 MOSFET 能夠穩定地控制電流,確保設備的安全運行和高效性能。

HM12N60B-VB 的高電壓承受能力和良好的導通性能使其在各種高電壓應用中表現出色,特別適用於高電壓開關和電源管理模組。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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