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HM1404B-VB 產品詳細

產品簡介:

HM1404B-VB MOSFET 產品簡介

HM1404B-VB 是一款高效能的單通道N型MOSFET,採用TO220封裝,適用於低電壓高電流的應用場景。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為40V,最大柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,閾值電壓 (Vth) 為3V。其導通電阻 (RDS(ON)) 為15mΩ(在VGS為4.5V時)和2mΩ(在VGS為10V時),最大漏極電流 (ID) 達到180A。採用Trench技術,HM1404B-VB 能夠在高電流應用中提供低導通損耗和高效能,是各種電力管理和開關設備的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
HM1404B-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單通道N型MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 180A
- **技術**: Trench 技術
- **功率耗散 (Pd)**: 200W (典型值)
- **結溫範圍**: -55°C 至 150°C

領域和模塊應用:

應用領域和模組舉例

HM1404B-VB MOSFET 由於其低導通電阻和高電流處理能力,廣泛應用於以下領域和模組中:

1. **電動汽車 (EV) 電池管理**:在電動汽車電池管理系統中,HM1404B-VB 可用於高電流開關和電池保護模組,確保電池在充電和放電過程中的高效能和安全性。

2. **工業電源**:在工業電源模組中,該MOSFET 可用作高效能開關器件,幫助提升電源系統的轉換效率和功率密度,特別適用於需要處理大電流的工業環境。

3. **大功率DC-DC轉換器**:HM1404B-VB 適用於大功率DC-DC轉換器設計中,提供低損耗、高效率的電力轉換,適合需要高電流和低導通電阻的應用場景。

4. **太陽能逆變器**:在太陽能發電系統中,該器件可用作逆變器的關鍵開關元件,幫助提高能量轉換效率,確保系統的穩定運行。

HM1404B-VB MOSFET 是各種高電流、高功率應用的理想選擇,能夠在多個領域中提供卓越的性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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