HM18N40-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HM18N40-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

一、HM18N40-VB 產品簡介

HM18N40-VB 是一款高耐壓 N 型功率 MOSFET，採用 TO220 封裝，專為高電壓應用設計。該 MOSFET 的最大漏源電壓（VDS）為 650V，適合在高電壓環境下工作。其柵源電壓（VGS）為 ±30V，閾值電壓（Vth）為 3.5V。導通電阻（RDS(ON)）為 160mΩ @ VGS = 10V，支持高達 20A 的漏極電流（ID）。該器件採用 SJ_Multi-EPI 技術，提供了高可靠性和優異的開關性能，使其在高電壓應用中具有出色的表現和穩定性。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	20A			160mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

二、HM18N40-VB 詳細參數說明

- **封裝類型（Package）：** TO220
- **配置（Configuration）：** 單通道 N 型（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）：** 650V
- **柵源電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 20A
- **技術類型（Technology）：** SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用：

三、HM18N40-VB 應用領域和模組示例

1. **高壓電源開關：**
HM18N40-VB 的高漏源電壓和可靠的開關性能使其適用於高壓電源開關應用，如高壓 DC-DC 轉換器和 AC-DC 適配器。其優異的耐壓特性確保了在高電壓環境下的穩定運行，並提供了有效的功率轉換。

2. **工業電機控制：**
在工業自動化和電機驅動系統中，HM18N40-VB 可用於控制高電壓電機和負載的開關。其高耐壓能力和較低的導通電阻使其能夠處理電機的啟動、調速和保護，適用於各種工業電機和驅動系統。

3. **電力電子設備：**
HM18N40-VB 的高耐壓特性使其適用於電力電子設備，如電力逆變器和功率調節模組。在這些應用中，該 MOSFET 提供了可靠的電流控制和高效的電力管理，滿足高功率設備的需求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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