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HM2302BKR-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HM2302BKR-VB 產品簡介

HM2302BKR-VB是一款高效能單N溝道MOSFET,封裝形式為SC70-3。該MOSFET設計用於低電壓應用,具有20V的漏源電壓(VDS),適合用於低電壓電源和信號開關。其柵源電壓(VGS)最大為±12V,而閾值電壓(Vth)範圍為0.5V至1.5V,確保其在低柵電壓下能夠穩定工作。HM2302BKR-VB具有優異的導通電阻性能,其導通電阻(RDS(ON))在不同柵電壓下分別為36mΩ(VGS=10V)、40mΩ(VGS=4.5V)、和48mΩ(VGS=2.5V)。支持高達4A的連續漏極電流(ID),採用Trench技術,為各種低電壓應用提供高效的開關解決方案。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
二、HM2302BKR-VB 詳細參數說明

1. **封裝類型**: SC70-3
2. **溝道配置**: 單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: 20V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
5. **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 36mΩ @ VGS=10V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 48mΩ @ VGS=2.5V
7. **連續漏極電流 (ID)**: 4A
8. **技術類型**: Trench
9. **最大功耗 (Ptot)**: 0.6W
10. **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
11. **輸入電容 (Ciss)**: 280pF
12. **輸出電容 (Coss)**: 60pF
13. **反向恢復時間 (trr)**: 50ns

領域和模塊應用:

三、HM2302BKR-VB 的應用領域和模組

HM2302BKR-VB MOSFET的低電壓特性和高效能使其非常適合用於多個低電壓應用場合。以下是一些典型的應用領域和模組:

1. **低電壓電源開關**:
- **應用實例**:在低電壓電源模組中,如5V或12V電源開關,HM2302BKR-VB能夠高效地控制電源開關操作,保證系統的穩定性和可靠性。

2. **信號開關**:
- **應用實例**:在信號開關應用中,如音頻或視頻信號的開關,HM2302BKR-VB的低閾值電壓和低導通電阻特性使其能夠在低電壓環境下高效地切換信號。

3. **移動設備和可攜式電子產品**:
- **應用實例**:在智能手機、平板電腦等移動設備中,HM2302BKR-VB可以用於電源管理和信號處理,提供高效的開關控制和節能性能。

4. **電池管理系統**:
- **應用實例**:在低電壓電池管理系統中,如可充電電池的開關和保護電路,HM2302BKR-VB可以提供可靠的開關功能,保護電池免受過流和過壓的影響。

5. **LED驅動電路**:
- **應用實例**:在LED驅動電路中,HM2302BKR-VB能夠有效控制LED的開關,提供穩定的亮度控制和高效的電力轉換。

HM2302BKR-VB的低電壓和高效能特性,使其在低電壓應用和緊湊型設計中表現出色,為各種低電壓電子產品和系統提供了可靠的開關解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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