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HM25N03Q-VB 產品詳細

產品簡介:

HM25N03Q-VB MOSFET 產品簡介

**HM25N03Q-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用DFN8(3x3)封裝。該MOSFET設計用於低至中等電壓應用,能夠在30V的漏源電壓(VDS)下穩定工作,柵源電壓(VGS)範圍為±20V。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為19mΩ,在VGS=10V時為13mΩ,最大漏極電流(ID)為30A。HM25N03Q-VB 採用Trench技術,提供了低導通電阻和高效的開關性能,適用於各種低到中電壓應用中的高電流控制。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A 13mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 30A Trench
HM25N03Q-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

HM25N03Q-VB MOSFET 的低導通電阻和較高的電流處理能力使其在以下領域和模組中表現優異:

1. **電源管理系統**: 在電源管理模組中,如DC-DC轉換器和電源調節器,HM25N03Q-VB 可用於高效地控制電源開關和電流流向,確保系統穩定性和高效能。

2. **電機驅動**: 在電機驅動電路中,特別是步進電機和直流電機驅動器,HM25N03Q-VB 提供了穩定的開關性能和高電流承載能力,適合用於各種電機控制應用。

3. **LED照明系統**: 在LED照明應用中,如LED驅動電路和調光控制,HM25N03Q-VB 能夠提供低導通電阻的開關控制,確保LED燈的穩定性和高效能。

4. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,如電池管理系統(BMS)和高壓電源分配模組,HM25N03Q-VB 可以處理中電壓和高電流負載,提升電氣系統的可靠性和安全性。

5. **消費電子產品**: 在各種消費電子產品中,如電源開關模組和開關電源,HM25N03Q-VB 的高電流承載能力和低導通電阻特性增強了產品的性能和能效。

由於其優越的開關特性和高電流處理能力,HM25N03Q-VB 是低到中電壓應用中理想的MOSFET選擇,能夠提供高效、可靠的電流控制解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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