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HM30N04D-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HM30N04D-VB 產品簡介

HM30N04D-VB 是一款高效能單通道 N 型 MOSFET,採用 DFN8(5X6) 封裝,專為高電流和低電壓應用設計。其漏源擊穿電壓(VDS)為 30V,適合用於低電壓環境下的高電流開關和控制任務。柵源電壓(VGS)範圍為 ±20V,使得 MOSFET 可以在較大的柵電壓範圍內穩定工作。該 MOSFET 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,使其能夠在相對較低的柵電壓下導通。在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為 9mΩ,而在 VGS 為 10V 時,RDS(ON) 為 7mΩ。其最大漏極電流(ID)達到 80A,能夠處理高電流負載。採用 Trench 技術,提供了極低的導通電阻和高效能,非常適合高電流和高頻率的應用場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
二、HM30N04D-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:DFN8(5X6)
- **通道配置**:單 N 型
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:80A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

三、HM30N04D-VB 的應用領域及模組舉例

**1. 電源管理**
HM30N04D-VB 適用於電源管理模組,如 DC-DC 轉換器和電源開關。其低導通電阻和高電流能力使其能夠高效地管理電源開關和轉換過程中的高電流負載,提高系統的效率和可靠性。

**2. 電機驅動**
在電機驅動應用中,例如電動工具和電動車控制器,HM30N04D-VB 可以作為功率開關,用於控制電機的啟停和調速。其 80A 的最大漏極電流和低 RDS(ON) 確保電機驅動系統的高效和穩定運行。

**3. LED 驅動**
該 MOSFET 也非常適合用於高功率 LED 驅動電路,能夠有效控制 LED 的亮度和開關。其低導通電阻減少了功率損耗,確保 LED 照明系統的能效和長壽命。

**4. 電腦和通信設備**
HM30N04D-VB 在電腦和通信設備中也有廣泛應用,如電源管理、信號開關等。其高電流處理能力和低導通電阻能夠有效提高設備的性能和穩定性。

HM30N04D-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在電源管理、電機驅動、LED 驅動和電腦通信等應用領域中表現優異,為各種高電流低電壓應用提供了高效、可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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