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HM35N03Q-VB 產品詳細

產品簡介:

HM35N03Q-VB MOSFET 產品簡介

HM35N03Q-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,採用緊湊的 DFN8 (3X3) 封裝設計,適用於空間受限的應用場景。該器件具備 30V 的最大漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),其開啟閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。HM35N03Q-VB 在 VGS=4.5V 時的導通電阻 (RDS(ON)) 為 5mΩ,在 VGS=10V 時為 3.9mΩ,最大漏極電流 (ID) 可達 60A。基於先進的 Trench 技術,該 MOSFET 提供了極低的導通電阻和優異的開關性能,非常適合高效電源管理和低電壓驅動應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
HM35N03Q-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝形式**: DFN8 (3X3)
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術**: Trench
- **開關特性**: 高效低電壓驅動,適合緊湊設計

領域和模塊應用:

HM35N03Q-VB MOSFET 適用領域和模組

HM35N03Q-VB MOSFET 的緊湊封裝和高性能特性使其在多種應用中發揮重要作用:

1. **可攜式設備電源管理**:該 MOSFET 由於其低導通電阻和高電流能力,非常適合應用在智能手機、平板電腦、筆記本電腦等可攜式設備的電源管理電路中。其小巧的 DFN8 封裝有助於節省 PCB 空間,同時保持高效能。

2. **電源轉換模組**:在低電壓 DC-DC 轉換器和電壓調節器中,HM35N03Q-VB 提供高效的功率轉換和低損耗,適合用於需要高效率和小尺寸的電源模組。

3. **電機驅動電路**:其高電流處理能力使其適用於小型電機驅動器中,尤其是在空間受限但要求高效驅動的小型電機和伺服系統中。

4. **負載開關和分配電路**:HM35N03Q-VB 可用於需要精確控制的負載開關和電源分配電路中,確保低功耗和高效的電能管理,適合應用於伺服器、路由器等需要高效能負載管理的設備。

5. **電池保護電路**:在電池管理系統中,該 MOSFET 可作為開關元件,用於電池的充電和放電管理。其低導通電阻和高電流能力有助於提高電池系統的效率和安全性。

6. **LED 驅動電路**:該 MOSFET 適合用於 LED 照明系統中的驅動電路,能夠提供高效的電流控制和低功耗,支持 LED 燈具的長時間穩定工作。

HM35N03Q-VB MOSFET 是適合高效電源管理和低電壓高電流應用的理想選擇,其緊湊封裝和高性能特性使其在空間受限的現代電子設備中佔據了重要地位。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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