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HM40N20-VB 產品詳細

產品簡介:

HM40N20-VB MOSFET 產品簡介

HM40N20-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝,具有 200V 的最大漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格。該 MOSFET 的開啟閾值電壓 (Vth) 為 3V,使用 Trench 技術,以降低導通電阻和提升開關性能。在 VGS=10V 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 為 46mΩ,漏極電流 (ID) 可達 50A。這款 MOSFET 特別適用於需要高電流和中等電壓的應用,具備優良的開關特性和低導通損耗。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A 46mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 50A Trench
HM40N20-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝形式**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 46mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench
- **開關特性**: 低導通電阻,高電流處理能力

領域和模塊應用:

HM40N20-VB MOSFET 適用領域和模組

HM40N20-VB MOSFET 的設計和性能使其適合於各種需要高電流和中等電壓的應用場景:

1. **電源管理**:在電源管理電路中,如 DC-DC 轉換器和電源開關,HM40N20-VB 的高電流處理能力和低導通電阻能夠提供高效的電源轉換和穩定的電流供應。這對於高功率電源模組尤為重要。

2. **功率放大器**:在功率放大器設計中,這款 MOSFET 的低導通電阻和高漏極電流能力,使其能夠在大電流條件下穩定工作,從而提高系統的效率和性能。

3. **電動機驅動**:HM40N20-VB 可以用於電動機驅動電路中,例如直流電動機控制系統。其高電流承載能力和低導通電阻有助於提升電動機驅動的效率和回應速度。

4. **變頻器和逆變器**:在變頻器和逆變器應用中,HM40N20-VB 的高電流處理能力和中等電壓特性使其適用於電壓轉換和功率調節,有助於提高設備的可靠性和性能。

5. **高功率開關**:在高功率開關電路中,如高功率負載的開關控制,HM40N20-VB 的低導通電阻能夠減少功率損耗,同時其高電流能力確保了電路的穩定運行。

6. **工業電源模組**:該 MOSFET 可用於工業電源模組中,如工業自動化設備和電力分配系統。它能夠在高電流負載下穩定工作,提供可靠的電源管理。

總的來說,HM40N20-VB MOSFET 以其優秀的電流處理能力和低導通電阻,適用於各種需要高電流和中等電壓的應用領域,提供了可靠的性能和高效的電源管理解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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