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HM4421B-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HM4421B-VB 產品簡介

HM4421B-VB 是一款高性能P溝道MOSFET,封裝形式為SOP8,專為低電壓和高電流應用設計。它具有最大漏源電壓(VDS)為-60V,柵源電壓(VGS)範圍為±20V。該MOSFET 的閾值電壓(Vth)為-1.7V,並採用Trench技術,具有低導通電阻(RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V 和 RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V)。其最大漏極電流(ID)為-10A。這些特性使HM4421B-VB 在需要高效率和低功耗的負載開關應用中表現出色,如電源管理和負載開關等。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -60V -1.7V -10A 25mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -60V -1.7V -10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -60V -1.7V -10A Trench
二、HM4421B-VB 詳細參數說明

1. **封裝類型**: SOP8
2. **溝道配置**: 單P溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: -60V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- 25mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流 (ID)**: -10A
8. **技術類型**: Trench
9. **最大功耗 (Ptot)**: 1.5W
10. **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
11. **輸入電容 (Ciss)**: 2200pF
12. **輸出電容 (Coss)**: 350pF
13. **反向恢復時間 (trr)**: 50ns

領域和模塊應用:

三、HM4421B-VB 的應用領域和模組

HM4421B-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個應用領域中表現優異。以下是一些典型的應用領域和模組:

1. **電源管理**:
- **應用實例**:在電源管理系統中,HM4421B-VB 可以用作負載開關,以高效地控制電源的開啟和關閉。其低導通電阻減少了功率損耗,適用於高效電源轉換器和電池供電設備。

2. **負載開關**:
- **應用實例**:在各種電子設備中,HM4421B-VB 可以作為負載開關,用於控制高電流負載的啟停。其高電流處理能力和低導通電阻使其適用於電流較大的負載開關,如電動工具和家用電器。

3. **開關模式電源 (SMPS)**:
- **應用實例**:在開關模式電源設計中,HM4421B-VB 作為P溝道開關元件,能夠高效地切換負載,減少開關損耗,提高電源效率,適用於高功率LED驅動器和電源模組。

4. **功率管理**:
- **應用實例**:在功率管理系統中,HM4421B-VB 可以用於控制高功率模組的開關操作。其低RDS(ON)值和高電流處理能力確保了系統的高效和穩定性,適用於工業設備和汽車電源管理系統。

5. **電池保護電路**:
- **應用實例**:在電池保護電路中,HM4421B-VB 可以作為負載開關,用於防止過流和過壓情況。其穩定性和低功耗特性使其適合用於電池管理系統中的過流保護。

HM4421B-VB 的高電流能力和低導通電阻使其在需要高效、高性能負載開關的應用中表現突出,廣泛適用於電源管理、負載開關和功率管理等領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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