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HM6N70-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HM6N70-VB的產品簡介

HM6N70-VB是一款採用TO220封裝的單N溝道(Single-N-Channel)MOSFET,專為高電壓應用設計。該器件採用先進的SJ_Multi-EPI技術,能夠在高電壓環境中穩定工作。HM6N70-VB具有700V的最大漏源極電壓(VDS)和±30V的柵源極電壓(VGS),其閾值電壓(Vth)為3.5V。雖然其導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ@VGS=10V,漏極電流(ID)可達5A,這使得該MOSFET特別適合在需要高電壓和中等電流的應用中使用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A 1100mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
二、HM6N70-VB的詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 700V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

三、應用領域與模組

HM6N70-VB MOSFET因其高電壓能力和中等電流處理能力,在以下領域和模組中具有重要應用:

1. **高電壓開關電源(SMPS)**: HM6N70-VB能夠處理高達700V的電壓,非常適合用於高電壓開關模式電源中,如高電壓DC-DC轉換器和AC-DC轉換器。在這些應用中,它能夠穩定地控制電壓轉換過程,並提供可靠的開關性能。

2. **功率逆變器**: 在功率逆變器應用中,如用於太陽能發電或風力發電系統的逆變器,HM6N70-VB的高電壓耐受能力使其能夠處理高電壓輸入,並有效地將直流電轉換為交流電。

3. **電源保護**: 由於其高耐壓特性,HM6N70-VB也適用於電源保護電路,如過壓保護和電流保護系統。在這些應用中,它能夠防止電源超載和保護電路組件免受損害。

4. **工業控制系統**: 在工業自動化和控制系統中,HM6N70-VB能夠處理高電壓應用,如高壓開關和電機控制系統。雖然其電流處理能力為5A,但在高電壓應用中仍能提供穩定的開關控制。

5. **高壓負載開關**: 該MOSFET也可用於高壓負載開關應用,例如高電壓電源適配器和高壓負載控制模組。它能夠高效地管理和切換高電壓負載,確保系統的穩定性和可靠性。

總的來說,HM6N70-VB憑藉其高電壓能力和可靠的開關性能,適合在高電壓應用中使用,提供了穩定的解決方案,特別是在需要高耐壓和中等電流的應用場景中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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