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HMS60N06D-VB 產品詳細

產品簡介:

HMS60N06D-VB MOSFET 產品簡介

HMS60N06D-VB 是一款高性能單極N溝道MOSFET,封裝形式為DFN8 (5x6),設計用於高效能和高密度應用。它具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),能夠處理高達80A的最大連續漏極電流(ID)。該MOSFET的導通電阻在VGS=10V時為6mΩ,在VGS=4.5V時為7mΩ,採用了Trench技術,提供了優異的開關性能和低導通損耗。HMS60N06D-VB 適用於需要高電流和高效率的開關和電源管理電路。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 6mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
HMS60N06D-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝形式**: DFN8 (5x6)
- **溝道配置**: 單極N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 60V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 7mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 80A
- **技術類型**: Trench

領域和模塊應用:

HMS60N06D-VB 的應用領域及模組

1. **DC-DC轉換器**: HMS60N06D-VB 非常適用於DC-DC轉換器中的開關元件,尤其是在高電流和高效率的應用場景中。其低導通電阻和高電流承載能力使其成為電源轉換器中的理想選擇,能夠在提供高效轉換的同時減少功耗。

2. **電池管理系統**: 在電池管理系統中,該MOSFET可以用於開關電路和電流保護。其低RDS(ON)值和高電流能力確保了電池的高效充放電和保護功能,適用於各種電池組和充電管理系統。

3. **電機控制**: HMS60N06D-VB 適合用於電動機驅動系統,如電動工具和工業電機控制。它的高電流處理能力和低導通損耗有助於實現高效的電機控制,確保電動機的穩定運行和高效性能。

4. **LED驅動電路**: 在LED驅動應用中,該MOSFET 可以作為高效開關元件,特別是在高功率LED燈具和照明系統中。它的低導通電阻和高電流處理能力有助於提高照明系統的整體效率和可靠性,適合用於街道照明、工業照明等場景。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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