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HMS8N60-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**HMS8N60-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET,採用TO-220封裝,設計用於高壓應用。其具備650V的漏源極電壓(VDS)和±30V的柵源極電壓(VGS)額定值,能夠在嚴苛的環境中穩定運行。該器件的開啟電壓(Vth)為3.5V,並且在VGS=10V時,其導通電阻(RDS(ON))為500mΩ,最大持續漏極電流(ID)可達9A。HMS8N60-VB採用了SJ_Multi-EPI技術,具有出色的開關特性和低導通損耗,非常適合用於電力轉換和高效能源管理的應用中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
參數說明

1. **型號**: HMS8N60-VB
2. **封裝類型**: TO-220
3. **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
4. **漏源極電壓(VDS)**: 650V
5. **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
6. **開啟電壓(Vth)**: 3.5V
7. **導通電阻(RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V
8. **最大漏極電流(ID)**: 9A
9. **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域和模組

**HMS8N60-VB**由於其高電壓承受能力和較低的導通電阻,特別適合在以下領域和模組中應用:

1. **電源轉換模組**: 在開關電源(SMPS)中,HMS8N60-VB可用作主開關器件,提供高效的功率轉換和低損耗,適用於高壓輸入電源的應用,如工業電源和服務器電源。

2. **照明驅動模組**: 在LED驅動電路中,這款MOSFET能有效地管理高壓負載,保證系統的穩定性和長壽命。適用於街道照明、工業照明等需要高功率、高效能的場合。

3. **逆變器模組**: 在逆變器中,HMS8N60-VB能提供快速的開關速度和低導通損耗,適用於光伏逆變器和不間斷電源(UPS)等要求高效率和高可靠性的應用。

4. **電機控制模組**: 適用於需要精確控制和快速回應的電機驅動系統,尤其是在工業自動化和電動車等應用中,該MOSFET可以提供高效的電流控制和低熱耗。

HMS8N60-VB在這些應用中能夠提供可靠的性能,確保系統的高效、穩定和耐用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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