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HMS8N70-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**HMS8N70-VB** 是一款高壓、低 RDS(ON) 的 N-Channel MOSFET,採用 TO220 封裝。這款 MOSFET 具有 700V 的最大漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的最大柵極-源極電壓 (VGS)。它的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,漏源電阻 (RDS(ON)) 為 600mΩ(在 VGS = 10V 時)。其最大連續漏極電流 (ID) 為 10A。採用 SJ_Multi-EPI 技術,有助於實現高電壓、大電流下的穩定性和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A 600mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 700V 3.5V 10A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 700V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **漏源電阻 (RDS(ON))**: 600mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

**1. 電源轉換器**
HMS8N70-VB 可用於高壓電源轉換器中的開關元件,能夠在高電壓和高電流條件下工作。它的高 VDS 和低 RDS(ON) 能有效降低導通損耗,提升轉換效率。

**2. 電機驅動器**
在電機驅動器中,這款 MOSFET 能提供穩定的開關控制,尤其適用於需要高電壓和中等電流的應用場景。它的高耐壓特性使其能夠適應電機啟動時的高電壓脈衝。

**3. 高壓電池管理系統**
在高壓電池管理系統中,HMS8N70-VB 可以作為電池開關和保護電路中的關鍵組件。其高 VDS 和可靠的耐壓能力能夠確保在充電和放電過程中有效地控制電流,保護電池免受過壓和過流的影響。

**4. 交流到直流電源 (AC-DC) 適配器**
這款 MOSFET 適用於 AC-DC 適配器中的高壓開關環節。它的低 RDS(ON) 能減少功耗,提高整體效率,尤其適合高功率輸出的適配器應用。

**5. 逆變器**
在逆變器應用中,HMS8N70-VB 可用於轉換直流電源為交流電源。其高電壓耐受能力和低導通電阻使其適合處理逆變器中的高電壓和高電流負載。

這款 MOSFET 的設計使其在需要高電壓、大電流及高效率的應用中表現出色,滿足了各種電子產品的高性能需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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