產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
|
127mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
二、HUF75623P3-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO-220
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **開啟電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：127mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**：18A
- **技術**：Trench
- **熱阻 (RθJC)**：典型值2.5°C/W
- **總柵極電荷 (Qg)**：典型值80nC
- **輸出電容 (Coss)**：典型值210pF
- **最大功耗 (Ptot)**：典型值為60W（在Tc = 25°C時）
- **漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)**：100V
領域和模塊應用：
三、HUF75623P3-VB MOSFET 應用領域和模組示例
1. **開關電源（SMPS）**：HUF75623P3-VB 非常適合用於中高電壓的開關電源設計，包括AC-DC和DC-DC轉換器。其較高的漏源電壓和合理的導通電阻使其在電源轉換應用中能夠有效地控制電流，減少能量損耗，並提高系統的效率。
2. **電機驅動**：在電機驅動應用中，如直流電機驅動器和步進電機控制系統，HUF75623P3-VB 可以提供穩定的開關性能和適中的電流處理能力。雖然其導通電阻相對較高，但仍能滿足中等電流應用的需求，確保電機驅動系統的可靠性。
3. **LED照明**：該MOSFET 也適用於LED照明驅動電路，尤其是在需要較高電壓的應用中。HUF75623P3-VB 能夠管理LED模組中的電流，確保其穩定運行，同時通過適中的導通電阻來優化功率轉換效率。
4. **汽車電子**：在汽車電子系統中，如電動窗和座椅調節等應用，HUF75623P3-VB 提供了高電壓和中等電流的解決方案。其穩定的開關性能和高漏源電壓能力使其能夠在汽車環境中可靠地工作，提高了系統的耐用性和性能。
HUF75623P3-VB 是一款多用途的功率MOSFET，適用於開關電源、電機驅動、LED照明和汽車電子等多個領域，能夠滿足中高電壓和中等電流應用的需求。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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