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HUF75939P3-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**型號:HUF75939P3-VB**
**封裝:TO220**
**配置:單N溝道**
**VDS:200V**
**VGS:±20V**
**Vth:3V**
**RDS(ON) @ VGS=10V:110mΩ**
**ID:30A**
**技術:Trench**

HUF75939P3-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET,採用TO220封裝。它專為高電壓和高功率應用設計,能夠承受高達200V的漏源電壓。該MOSFET 採用Trench技術,具備低導通電阻和穩定的高電流處理能力,適合用於各種電源管理、功率轉換和開關控制應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:200V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @ VGS=10V:110mΩ
- **漏電流(ID)**:30A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域及模組示例

1. **高電壓DC-DC轉換器**
HUF75939P3-VB 適合用於高電壓DC-DC轉換器中。其高漏源電壓(200V)和較低的導通電阻(110mΩ @ VGS=10V)使其能夠有效處理高電壓轉換任務,同時保持高效的電能轉換性能。尤其在需要處理高電壓輸入的電源轉換系統中表現出色。

2. **電機驅動系統**
在電機驅動應用中,HUF75939P3-VB 可作為高電壓、高電流負載的開關元件。其高電壓能力和穩定的導通性能使其能夠有效地控制高功率電機,適合需要在高電壓下穩定運行的電機驅動系統。

3. **功率放大器**
該MOSFET 也可以用於功率放大器,特別是在處理高電壓信號的情況下。HUF75939P3-VB 的高漏源電壓和低導通電阻使其能夠在高功率放大器中提供穩定的開關性能,確保有效的功率放大和信號處理。

4. **高電壓負載開關**
HUF75939P3-VB 適用於高電壓負載開關應用,如電源保護和高電壓負載控制電路。其高漏源電壓和良好的導通性能能夠穩定地控制高電壓負載,同時有效保護電路免受過流和過壓的影響,確保系統的可靠性和安全性。

這些應用示例展示了HUF75939P3-VB 在高電壓和高功率環境中的優越性能和廣泛適用性,特別是在需要高效能和高可靠性的電源管理和功率控制電路中具有顯著優勢。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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