HUF76013P3-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HUF76013P3-VB 產品詳細

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應用
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產品簡介：

HUF76013P3-VB 產品簡介

HUF76013P3-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，封裝為TO220。該器件設計用於低至中電壓的開關應用，具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其開啟電壓（Vth）為1.7V，能夠在較低的柵極電壓下開通。HUF76013P3-VB 的導通電阻在VGS為4.5V時為9mΩ，在VGS為10V時為6mΩ，提供了低功耗和高效率的性能。最大連續漏極電流（ID）為80A，使其適合於高電流的應用場合。該MOSFET採用Trench技術，具有優秀的開關性能和低導通損耗，確保高效能量傳輸和管理。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	80A			6mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	30V		1.7V	80A		Trench

HUF76013P3-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **開啟電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 9mΩ@VGS=4.5V
- 6mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：80A
- **技術**：Trench

領域和模塊應用：

HUF76013P3-VB 應用領域與模組

HUF76013P3-VB MOSFET 的低導通電阻和高電流承載能力使其非常適合用於**高效開關電源**（SMPS），包括DC-DC轉換器和AC-DC電源模組。其高電流能力和低功耗特性也使其在**電機驅動系統**中表現出色，例如在工業電機控制器和電動汽車（EV）中的電機驅動應用中，能夠提供高效的電流管理和控制。此外，該器件適用於**電池管理系統**（BMS），特別是在需要高電流處理的電池組中，確保穩定和高效的電流傳輸。在**功率調節模組**和**負載開關**應用中，HUF76013P3-VB 能夠提供高效的開關性能，適用於各種需要高電流和低導通損耗的場合。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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