HUF76113SK8T-VB - VBsemi MOSFETs製造商

HUF76113SK8T-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

HUF76113SK8T-VB MOSFET 產品簡介

HUF76113SK8T-VB 是一款高效能的單通道 N-溝道 MOSFET，採用 SOP8 封裝，設計用於低壓應用。它具有 30V 的漏源電壓 (VDS)，能夠承受 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，並且在 10V 柵極驅動電壓下，導通電阻 (RDS(ON)) 低至 8mΩ。此 MOSFET 利用先進的 Trench 技術，提供優異的開關性能和較低的導通損耗，使其在大電流低壓應用中表現出色。

文件下載

下載PDF檔案

立即下載

點擊查看大圖

產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A			8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

HUF76113SK8T-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單通道 N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench
- **封裝尺寸**: SOP8 的小尺寸封裝，有助於節省 PCB 空間

領域和模塊應用：

HUF76113SK8T-VB MOSFET 的應用領域和模組舉例

1. **電機驅動控制模組**：HUF76113SK8T-VB 由於其低導通電阻和高電流承載能力，特別適用於電機驅動控制電路中的低壓開關。這使其能夠在需要快速回應和低功耗的應用中實現高效控制。

2. **DC-DC 轉換器**：此 MOSFET 在 DC-DC 轉換器中表現優異，尤其是在可攜式設備和電池供電設備中，提供高效的電能轉換，減少能量損耗。

3. **負載開關**：由於其出色的導通電阻和開關速度，HUF76113SK8T-VB 是用於智能負載開關的理想選擇。在需要頻繁開關且需要保持低功耗的場合，如電源管理單元和計算設備中，此 MOSFET 可以有效降低功率損耗。

4. **電源分配系統**：該 MOSFET 還可以用於電源分配系統中的保護電路，以便在過流或短路時迅速切斷電源，保護其他電子元件免受損壞。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

推广型号

HUF76113SK8T-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

推广型号

HUF76113SK8T-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請

序列號驗證