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HY1203S-VB 產品詳細

產品簡介:

HY1203S-VB MOSFET 產品簡介

HY1203S-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單 N 溝道 MOSFET,設計用於高效能和高電流應用。其具有 30V 的漏源電壓 (VDS) 和高達 13A 的持續漏極電流 (ID),使其在需要處理中高電流的電子電路中表現出色。HY1203S-VB 採用先進的 Trench 技術,具有低導通電阻 (RDS(ON)) 和寬廣的開啟電壓範圍 (Vth),使其能夠在不同工作條件下提供高效的開關性能,適合用於電源管理、開關控制及功率轉換應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 24mΩ 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
HY1203S-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 24mΩ @ VGS=2.5V
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **持續漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

HY1203S-VB MOSFET 應用領域及模組舉例

1. **電源管理**:
- 在電源管理系統中,HY1203S-VB 可用作高效的開關元件。其低導通電阻特性使其在開關電源 (SMPS) 中能夠有效降低功耗,提升整體系統的效率。它適合用於各種電源轉換器和電池供電系統。

2. **電機驅動**:
- HY1203S-VB 也適用於電機驅動應用,如直流電機或步進電機控制系統。其高電流處理能力和低 RDS(ON) 能夠提供穩定的電流控制,減少功率損耗,並改善電機性能和系統效率。

3. **功率轉換**:
- 在功率轉換模組中,HY1203S-VB 可以作為開關元件使用,如在 DC-DC 轉換器或 AC-DC 轉換器中。其優秀的開關性能和低導通電阻可以幫助提升轉換效率,並確保穩定的功率輸出。

4. **負載開關**:
- 該 MOSFET 還適合用於各種負載開關應用,例如在電路保護和開關電源中作為負載開關。它的高電流能力和低導通電阻能夠提供可靠的開關控制,確保設備的穩定運行。

HY1203S-VB 的設計特點使其在需要處理較高電流且要求高效率的應用中非常有效。其低 RDS(ON) 和廣泛的 Vth 範圍使其在多種電子電路中表現出色。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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