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HY1506C2-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:HY1506C2-VB

HY1506C2-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,採用 DFN8 (5x6mm) 封裝,設計用於中等電壓和高電流應用。此 MOSFET 使用先進的 Trench 技術,提供極低的導通電阻和優秀的電流處理能力,適合要求高效能和緊湊設計的應用場合。HY1506C2-VB 的低閾值電壓使其在較低的柵源極電壓下也能高效導通,從而提高了整體系統的能效和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 50A 10mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 50A Trench
詳細參數說明:

- **封裝類型**:DFN8 (5x6mm)
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ@VGS=4.5V
- 10mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:50A
- **技術類型**:Trench 技術

領域和模塊應用:

應用領域與模組:

1. **高效開關電源 (SMPS)**:HY1506C2-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於高效開關電源。作為開關元件,它能有效降低功率損耗和發熱,提高電源系統的整體效率和可靠性。

2. **電池管理系統 (BMS)**:在電池管理系統中,該 MOSFET 能夠高效控制電池的充放電過程。其高電流承載能力和低導通電阻確保了系統的穩定性和效率,適用於高性能電池管理應用。

3. **工業電機驅動**:HY1506C2-VB 適用於工業電機驅動系統,提供穩定且高效的電流控制。其高電流處理能力和低功耗特性能夠提高電機驅動系統的性能和可靠性。

4. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,HY1506C2-VB 可以有效處理由太陽能電池板產生的電流和電壓。其優異的電流處理能力和低功耗特性保證了逆變器的高效能和長壽命,適用於高效的直流/交流轉換。

HY1506C2-VB 的設計使其在這些中等電壓和高電流應用中表現卓越,成為多種高功率和高效能電子系統中的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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