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HYG046N04LQ1C2-VB 產品詳細

產品簡介:

一、HYG046N04LQ1C2-VB 產品簡介

HYG046N04LQ1C2-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,採用DFN8(5X6)封裝。該MOSFET 支持最高40V的漏源電壓,並能夠處理高達70A的漏極電流。其在4.5V柵源電壓下的導通電阻為6mΩ,在10V柵源電壓下為4.7mΩ。HYG046N04LQ1C2-VB 採用Trench技術,設計旨在提供低導通電阻和優異的開關性能,使其在高效能量轉換和低功率損耗的應用中表現卓越。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 2.5V 70A 4.7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 2.5V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 2.5V 70A Trench
二、HYG046N04LQ1C2-VB 詳細參數說明

| 參數 | 說明 |
|-----------------------|-----------------------------------------|
| **封裝類型** | DFN8(5X6) |
| **配置** | 單N溝道 |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 40V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **柵閾值電壓 (Vth)** | 2.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ (@VGS = 4.5V) |
| | 4.7mΩ (@VGS = 10V) |
| **連續漏極電流 (ID)** | 70A |
| **技術** | Trench 技術 |
| **功耗** | 低導通電阻,高效能量轉換 |
| **典型應用** | 高效電源管理、開關模式電源、功率轉換 |

領域和模塊應用:

三、應用領域與模組舉例

1. **高效電源管理**
HYG046N04LQ1C2-VB 由於其低導通電阻和高電流處理能力,非常適合用於高效電源管理系統。例如,在開關模式電源(SMPS)中,它可以提供高效的能量轉換,減少功率損耗,提高系統效率。

2. **開關模式電源(SMPS)**
在開關模式電源設計中,HYG046N04LQ1C2-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其成為理想的開關元件。這種MOSFET 能夠高效地處理電源轉換過程中的開關任務,確保電源系統的穩定性和可靠性。

3. **功率轉換裝置**
對於需要高效功率轉換的應用,如DC-DC轉換器和AC-DC轉換器,HYG046N04LQ1C2-VB 提供了出色的開關性能。它能夠在轉換過程中減少能量損耗,提高系統的整體效率,適用於各種功率轉換裝置。

4. **電動汽車和智能電池管理系統**
在電動汽車和智能電池管理系統中,HYG046N04LQ1C2-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其適合用於電池管理和電機控制。其高效能量轉換能力能夠優化電池使用效率,提高電動汽車的整體性能和續航能力。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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