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HYG072N08NR1P-VB 產品詳細

產品簡介:

HYG072N08NR1P-VB MOSFET 產品簡介

HYG072N08NR1P-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO220。這款 MOSFET 設計用於處理高電壓和高電流應用,支持最大 80V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為 3V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,在 VGS=10V 時降低至 7mΩ,能夠處理最大 100A 的漏極電流(ID)。HYG072N08NR1P-VB 採用先進的溝槽型(Trench)技術,具有低導通電阻和優異的開關性能,非常適合用於高功率和高效率的電源管理系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
HYG072N08NR1P-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: 溝槽型(Trench)

領域和模塊應用:

應用領域與模組舉例

1. **高功率 DC-DC 轉換器**:HYG072N08NR1P-VB 具有低導通電阻和高電流承載能力,非常適合用於高功率 DC-DC 轉換器。在這些應用中,它能夠有效減少能量損失,提高轉換效率,廣泛應用於電腦電源、伺服器電源和工業電源等高功率電源系統。

2. **電動汽車電池管理系統**:在電動汽車的電池管理系統中,HYG072N08NR1P-VB 能夠處理高達 100A 的電流,提供穩定的電流控制和高效的能量傳輸。其低導通電阻有助於優化電池性能和延長電池壽命,提升電動汽車的整體性能和續航能力。

3. **工業電力控制**:在工業電力控制系統中,例如電機驅動和高功率開關應用,HYG072N08NR1P-VB 提供了高電流承載能力和優異的開關性能。它能夠滿足工業設備對高效率和高可靠性的要求,提升設備的性能和耐用性。

4. **消費電子產品**:在大功率消費電子產品中,如高效電源適配器和充電器,HYG072N08NR1P-VB 的低導通電阻和高電流處理能力可以提高電源的整體效率,減少能量損失和發熱,確保設備在高效穩定的狀態下運行。

HYG072N08NR1P-VB 的高電流處理能力、低導通電阻和先進的溝槽技術,使其在電源管理、電動汽車、工業控制和高功率消費電子領域具有廣泛的應用,特別適合於需要高效能和高可靠性的高功率電力系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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