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IM1510G-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IM1510G-VB 產品簡介

IM1510G-VB 是一款高性能單P溝道功率MOSFET,採用DFN8(3X2)-B封裝,專為需要高開關速度和低導通電阻的低電壓應用設計。它的最大漏源電壓為-20V,漏極電流為-4A,適合於低電壓電源開關和負載驅動應用。該MOSFET 利用Trench技術,提供了較低的導通電阻和優良的開關性能,適合用於現代高效能電路設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -20V -0.8V -4A 90mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X2)-B Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -20V -0.8V -4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X2)-B Single-P -20V -0.8V -4A Trench
二、IM1510G-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**: DFN8(3X2)-B
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±8V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 125mΩ @ VGS=4.5V
- 90mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組舉例

1. **低電壓電源開關**:IM1510G-VB 適用於各種低電壓電源開關應用。它的-20V漏源電壓和低導通電阻使其能夠有效控制低電壓電源的開關。常見應用包括移動設備的電源管理、電池開關控制和DC-DC轉換器。

2. **負載開關**:在電子設備和模組中,IM1510G-VB 可以用作負載開關,特別是在需要小體積和高效能的設計中。其較低的導通電阻確保了較小的功率損耗和較高的效率,適合用於各種消費電子產品和便攜設備中。

3. **電池管理系統**:IM1510G-VB 的高效能特性使其適用於電池管理系統中的開關和控制電路。其低閾值電壓和良好的開關性能有助於提高電池使用效率和系統穩定性,廣泛應用於筆記本電腦、智能手機和其他便攜設備。

4. **保護電路**:IM1510G-VB 可用於過流保護和過壓保護電路中。其高開關速度和低導通電阻使其能夠快速回應異常情況,提供可靠的保護功能,確保電路和設備的安全運行。

5. **LED驅動器**:在LED驅動電路中,IM1510G-VB 的小體積和優良的開關特性使其適合用作LED開關和調光控制。它能夠有效地控制LED的亮度和開關狀態,提高LED照明系統的效率和可靠性。

總結來說,IM1510G-VB 是一款適用於低電壓開關和負載驅動的高性能P溝道MOSFET,廣泛應用於電源開關、電池管理、保護電路和LED驅動器等領域,具有優異的性能和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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