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IPP024N06N3 G-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:
IPP024N06N3 G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,基於先進的Trench技術。這款MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和高達270A的連續漏極電流(ID),能夠處理極高的電流。其柵極電壓(VGS)範圍為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為3V,確保了在低柵極電壓下能夠高效開啟。導通電阻(RDS(ON))為2.5mΩ @ VGS=4.5V 和 2.1mΩ @ VGS=10V,提供了極低的開關損耗,適合高功率和高效率的開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A 2.1mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2.1mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**:270A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域及模組示例:

1. **高功率電源管理**:IPP024N06N3 G-VB 在高功率電源管理系統中表現優異,特別是在高電流和高電壓的DC-DC轉換器中。其低導通電阻和高電流能力使其能夠有效降低開關損耗,提高能效,適用於各種高功率電子設備的電源轉換。

2. **電動汽車驅動**:在電動汽車驅動系統中,該MOSFET 可以作為電機驅動模組的開關元件。其高電流處理能力和低導通電阻能夠提供穩定的電機控制,滿足電動汽車對高效能和可靠性的要求。

3. **逆變器應用**:在光伏逆變器和其他逆變器應用中,IPP024N06N3 G-VB 的低導通電阻和高電流能力能夠優化電力轉換效率,確保系統在各種工作條件下的穩定性和高效性。

4. **工業電源系統**:該MOSFET 也適用於工業電源系統中的開關和控制應用。其卓越的導通特性和高電流處理能力使其能夠在高功率負載下保持穩定性,提升工業設備的性能和可靠性。

IPP024N06N3 G-VB 以其卓越的高電流和低功耗特性,適用於各種高功率開關和電力轉換應用,為電源管理、電動汽車驅動、逆變器和工業電源系統提供了可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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