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IPP030N10N3 G-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IPP030N10N3 G-VB 產品簡介:
IPP030N10N3 G-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220。該MOSFET設計用於處理高電流和高電壓的應用,具有100V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS)。其開啟閾值電壓(Vth)為3V,採用Trench技術,具備極低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V時為3mΩ,支持高達180A的漏極電流(ID)。IPP030N10N3 G-VB 在需要高效能和高電流處理能力的應用中表現出色,廣泛用於電源轉換、負載開關和電機驅動等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
二、IPP030N10N3 G-VB 詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:180A
- **技術類型**:Trench
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴於具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標準TO220封裝

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組舉例:
1. **電源轉換**:
IPP030N10N3 G-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其在電源轉換應用中表現優異。特別是在DC-DC轉換器、AC-DC電源和開關電源中,該MOSFET 能夠高效地進行功率轉換,減少能量損失,提高整體系統的效率。這使得它非常適合用於高功率電源模組的設計和優化。

2. **直流電機驅動**:
由於其180A的高電流處理能力和極低的RDS(ON),IPP030N10N3 G-VB 在直流電機驅動應用中表現出色。該MOSFET 能夠在電機啟動和運行期間處理大電流負載,適用於電動工具、電動汽車和工業設備中的電機控制系統,提供更高的效率和可靠性。

3. **負載開關**:
在負載開關應用中,IPP030N10N3 G-VB 的高電流能力和低功耗特性使其成為理想選擇。該MOSFET 可用於各種高電流負載的開關和保護電路,例如在電源開關、負載保護和電流控制系統中,確保系統的安全性和穩定性。

4. **電池管理**:
在電池管理系統中,尤其是在電動汽車和儲能系統中,IPP030N10N3 G-VB 的高電流承載能力和低導通電阻能夠有效進行電池充放電管理和保護。其高效能和高電流處理能力使其適合用於電池管理和電流調節,優化電池系統的性能和壽命。

IPP030N10N3 G-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其在高效能電源轉換、電機驅動和負載開關應用中表現出色,為各種高電流和高功率需求的場合提供可靠的解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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