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IPP080N03L G-VB 產品詳細

產品簡介:

IPP080N03L G-VB MOSFET 產品簡介

**IPP080N03L G-VB** 是一款高性能單N通道MOSFET,採用TO220封裝,專為中低電壓、大電流應用設計。它採用Trench技術製造,具有極低的導通電阻和優異的開關性能。該MOSFET的最大漏極源極電壓為30V,柵極-源極電壓為±20V,能夠處理高達120A的漏極電流。其低RDS(on)值(在VGS=4.5V時為4mΩ,在VGS=10V時為3mΩ)使其在高效開關和功率轉換應用中表現突出,適用於需要高電流和低導通損耗的場景。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
詳細參數說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單N通道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:120A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **高效開關電源**:在高效開關電源應用中,IPP080N03L G-VB的低RDS(on)特性能夠顯著降低開關損耗和提高整體系統效率。它可以作為主要開關元件使用,優化電源轉換過程中的能效。

2. **DC-DC轉換器**:在DC-DC轉換器中,IPP080N03L G-VB可以用作同步整流器,其超低導通電阻有助於減少轉換損耗,從而提高轉換效率和系統性能。

3. **電機驅動系統**:在電機驅動應用中,該MOSFET能夠處理高電流負載,同時保持低導通電阻,這有助於確保電機驅動系統的高效能和穩定性。

4. **電池管理系統**:IPP080N03L G-VB適用於電池管理系統中的開關和保護應用。其高電流承載能力和低導通損耗特性,確保了電池的安全管理和高效能量傳輸。

5. **LED驅動電路**:在LED驅動電路中,IPP080N03L G-VB可以提供穩定的電流,並通過其低RDS(on)特性減少功率損耗,提升LED系統的效率和長壽命。

這些應用示例展示了IPP080N03L G-VB的廣泛適用性和高性能特性,使其在各種高功率和高效能需求的電子系統中表現出色。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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