推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

IPP085N06L G-VB 產品詳細

產品簡介:

IPP085N06L G-VB MOSFET 產品簡介:
IPP085N06L G-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,具備60V的漏源電壓(VDS)和120A的漏極電流(ID)。該器件基於先進的Trench技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)),為5mΩ@VGS=10V,確保高效的電流處理能力,減少功耗和發熱量。其±20V的柵源電壓(VGS)提供了更好的電路保護和穩定性,適用於高要求的電源管理和開關應用場合。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:120A
- **技術**:Trench
- **工作溫度範圍**:通常在-55°C至+175°C
- **柵極電荷(Qg)**:典型值為100nC,確保高效快速的開關回應
- **功率耗散**:200W

領域和模塊應用:

適用領域及模組舉例:
1. **電動汽車充電樁**:由於IPP085N06L G-VB具有低導通電阻和高電流處理能力,適用於電動汽車充電樁中的功率開關模組。這些應用需要處理大電流,並且對效率要求很高,這款MOSFET能幫助減少功率損耗,提升系統效率。

2. **DC-DC轉換器**:在DC-DC轉換器中,該MOSFET可以用於同步整流器,因其低RDS(ON)特性使得在高頻操作下有較低的損耗和發熱,從而提升轉換效率。尤其在伺服器電源和工業控制領域的應用中,可以大幅提升能源利用率。

3. **UPS電源(不間斷電源)**:在UPS系統中,該MOSFET可以用於高效的能量切換和管理,由於其大電流承載能力,可以幫助穩定輸出電流,避免暫態電流衝擊對系統的影響,從而保護關鍵設備和系統。

4. **工業電機控制**:IPP085N06L G-VB 在工業電機控制系統中表現出色,適用於逆變器和PWM調節電路。它的高電流處理能力和快速開關速度,確保在大功率電機驅動中實現高效且精確的控制。

總結而言,IPP085N06L G-VB MOSFET在高電流和低損耗要求較高的場合下表現優異,廣泛應用於汽車電子、工業電源控制、以及高效率電源管理等領域。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢