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IPP100N08N3 G-VB 產品詳細

產品簡介:

IPP100N08N3 G-VB MOSFET 產品簡介:
IPP100N08N3 G-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,具有80V的漏源電壓(VDS)和100A的漏極電流(ID)。這款MOSFET採用Trench技術,設計用於高電流和低導通電阻的應用。其導通電阻(RDS(ON))分別為9mΩ(VGS=4.5V)和7mΩ(VGS=10V),能夠在不同的柵源電壓下提供優異的性能。這使得它非常適合需要高效率和低功耗的電源管理和開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 100A Trench
詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:80V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術**:Trench
- **工作溫度範圍**:通常在-55°C至+175°C
- **柵極電荷(Qg)**:典型值為90nC,確保高效快速的開關回應
- **功率耗散**:150W

領域和模塊應用:

適用領域及模組舉例:
1. **電源管理系統**:IPP100N08N3 G-VB的低導通電阻特性使其在電源管理系統中表現出色,尤其是在高電流電源開關和DC-DC轉換器中。其高電流處理能力和低功耗特性確保系統的高效率和穩定性,廣泛應用於工業電源和電腦電源模組。

2. **電動汽車(EV)**:在電動汽車的電源系統和電池管理系統中,該MOSFET的高電流承載能力和低導通電阻特性使其適合用於功率轉換和開關應用。例如,在電動汽車的充電模組和電池控制模組中,能有效減少能量損耗,提升整體系統效率。

3. **開關電源(SMPS)**:IPP100N08N3 G-VB可以用於開關電源中的主開關或同步整流器。其低RDS(ON)確保在高頻開關操作下具有最低的功耗和熱量積累,適合應用於電視、電源適配器和其他消費電子產品的開關電源設計。

4. **工業設備和電機驅動**:在工業設備和電機驅動系統中,該MOSFET能夠處理大電流,適合用於逆變器和PWM控制電路。其高電流能力和低功耗特性確保電機驅動的高效能和可靠性,尤其適用於高功率電機和工業自動化系統。

總之,IPP100N08N3 G-VB MOSFET因其高電流能力和低導通電阻,廣泛應用於電源管理、電動汽車、開關電源以及工業電機控制等領域,能夠有效提升系統效率和可靠性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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