推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

IPP100N10S3-05-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IPP100N10S3-05-VB 產品簡介

IPP100N10S3-05-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝,專為需要高電流承載能力和低導通電阻的應用設計。該 MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,最大漏極電流為 120A,其導通電阻在 VGS = 10V 下為僅 5mΩ。這款 MOSFET 採用先進的溝槽型(Trench)技術,具有優異的開關性能和低功耗特性,能夠在高負載條件下穩定工作,是各種高功率電子設備的理想選擇。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載

產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 120A Trench
二、IPP100N10S3-05-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:120A
- **技術類型**:溝槽型(Trench)技術
- **耗散功率 (Ptot)**:約 300W(具體取決於散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:0.5℃/W(結到殼)
- **工作溫度範圍**:-55℃ 到 175℃

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

1. **電源管理系統**:IPP100N10S3-05-VB 的高電流承載能力和低導通電阻使其非常適合用於電源管理系統,如高效 DC-DC 轉換器和電源開關模組。它能夠有效處理高功率負載,提高整體系統的效率。

2. **汽車電力系統**:在電動汽車及混合動力汽車中,這款 MOSFET 可以用於電池管理系統、電動機驅動以及電源轉換模組,確保在高電流條件下穩定工作,同時減少能量損耗。

3. **開關電源(SMPS)**:IPP100N10S3-05-VB 適用於開關電源的主要開關元件,其高電流能力和低導通電阻能夠支持高功率輸出,同時保持高效能量轉換,提升電源的整體性能。

4. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 可以用作光伏系統中的逆變器模組,以高效的方式轉換太陽能產生的直流電為交流電。其低導通電阻和高電流承載能力能夠有效提高逆變器的效率。

5. **不間斷電源 (UPS)**:在 UPS 系統中,IPP100N10S3-05-VB 的高開關能力和低損耗特性使其成為關鍵的開關元件,能夠在負載變化時保持系統的穩定電力輸出,提高 UPS 的性能和可靠性。

通過其出色的電流處理能力和低導通電阻,這款 MOSFET 能夠在多個高功率和高效能需求的應用中提供卓越的性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

* 如果您對產品有任何問題,請填寫表格提交,我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢