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IPP120N04S3-02-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IPP120N04S3-02-VB 產品簡介

IPP120N04S3-02-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,採用 TO220 封裝,專為高電流、高效率應用設計。這款 MOSFET 的漏源電壓為 40V,能夠處理高達 180A 的漏極電流。其低導通電阻分別為 15mΩ(在 VGS = 4.5V 時)和 2mΩ(在 VGS = 10V 時),採用先進的 Trench(溝槽)技術製造,確保了出色的功率轉換效率和最低的功率損耗。該 MOSFET 的工作電壓範圍和電流處理能力使其適合多種高功率應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
二、IPP120N04S3-02-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 15mΩ(VGS = 4.5V),2mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 180A
- **技術**: Trench(溝槽)技術
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +175°C

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組舉例

1. **電源管理和轉換**
IPP120N04S3-02-VB 由於其低導通電阻和高電流處理能力,非常適合用於電源管理系統,包括開關電源 (SMPS) 和電源分配模組。這種 MOSFET 能夠在高功率轉換過程中實現高效能量傳輸,從而提高系統的整體效率。

2. **電機驅動與控制**
在電機驅動應用中,尤其是大功率直流電機驅動器,IPP120N04S3-02-VB 的高電流能力和低導通電阻可以有效地控制電機驅動電流,並減少熱量生成,從而提升電機驅動系統的可靠性和效率。

3. **汽車電子**
該 MOSFET 適用於汽車電氣系統中的各種應用,如電池管理系統、逆變器和電動助力轉向系統。由於其高電流承載能力和低功率損耗特性,IPP120N04S3-02-VB 可以有效地管理汽車中的高功率電子設備。

4. **太陽能逆變器**
在光伏逆變器中,IPP120N04S3-02-VB 的高效能量傳輸能力和低導通電阻使其成為理想選擇。這種 MOSFET 可以處理高電流並最大化能量轉換效率,提高太陽能系統的整體性能。

5. **不間斷電源 (UPS)**
在 UPS 系統中,IPP120N04S3-02-VB 提供了穩定的電流處理能力和低導通電阻,有助於提高 UPS 的性能。它可以確保在電力中斷時,系統能夠快速切換並提供可靠的電力支持。

IPP120N04S3-02-VB 的高性能特點使其在各種高功率應用中都表現優異,是現代電力電子設備中的關鍵組件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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