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IPP120N06S4-H1-VB 產品詳細

產品簡介:

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IPP120N06S4-H1-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝,專為高電流和低導通電阻應用設計。其漏源電壓 (VDS) 為 60V,柵極電壓 (VGS) 最大為 ±20V。這款 MOSFET 採用先進的溝槽(Trench)技術,具備極低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 2.5mΩ,VGS=10V 時為 2.1mΩ,支持高達 270A 的漏極電流 (ID)。這些特性使其在高功率應用中表現優異,特別適合用於需要高電流和高效率的電源管理系統。

**二、

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A 2.1mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 270A Trench
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- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS=4.5V
- 2.1mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:270A
- **技術**:溝槽(Trench)技術

領域和模塊應用:



1. **高效電源轉換器**:IPP120N06S4-H1-VB 在高效電源轉換器中非常適用,如開關電源(SMPS)和逆變器。其低導通電阻和高電流承載能力使其能夠在高功率密度下高效地轉換電能,減少功率損失,提高系統的整體效率。

2. **電動汽車**:該 MOSFET 適用於電動汽車中的電力管理系統和驅動控制模組。其高電流能力和低 RDS(ON) 特性使其能夠有效管理電動汽車的電池放電和電機驅動,提升汽車的整體性能和續航能力。

3. **工業電機驅動**:在工業應用中,IPP120N06S4-H1-VB 可以用於電機驅動器。其高電流承載能力和低導通電阻有助於高效驅動大功率電機,如在機器人和自動化設備中提供穩定的電源支持。

4. **電池管理系統(BMS)**:在電池管理系統中,這款 MOSFET 可用於實現高效的電池開關和保護功能。其低導通電阻和高電流處理能力確保電池在充放電過程中的安全和效率。

5. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 在太陽能逆變器中可用於高效電流轉換和管理。它的高電流承載能力和低導通電阻使其能夠在光伏系統中高效地將太陽能轉換為電力,支持高效的能量轉換和系統穩定性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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