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IPP126N10N3 G-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IPP126N10N3 G-VB 產品簡介

IPP126N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO220。其設計具有優異的高電流承載能力和低導通電阻,適用於需要高效能電流管理的應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓為 100V,能夠承載最大漏極電流 100A。在 VGS = 4.5V 條件下,其導通電阻為 20mΩ,在 VGS = 10V 時為 9mΩ。該器件採用溝槽型(Trench)技術,提供了出色的開關性能和低功耗特性,廣泛適用於各種高功率電子設備和電源管理系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
二、IPP126N10N3 G-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術類型**:溝槽型(Trench)技術
- **耗散功率 (Ptot)**:約 150W(具體取決於散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:1.0℃/W(結到殼)
- **工作溫度範圍**:-55℃ 到 175℃

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

1. **高效開關電源(SMPS)**:IPP126N10N3 G-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其非常適合用於高效開關電源的主要開關元件。它能顯著減少功率損耗,並確保高效的電流轉換,適合用於伺服器電源、工業電源等高性能電源系統。

2. **電動汽車驅動**:在電動汽車和混合動力汽車的驅動系統中,這款 MOSFET 可以作為電機控制開關,支持高電流電機的高效驅動,同時降低能量損耗,提高系統的總體效率和可靠性。

3. **電池管理系統**:該 MOSFET 適用於電池管理系統中的功率開關模組,能夠有效處理高電流負載,提供穩定的電流管理,同時保護電池免受過電流影響。

4. **工業設備**:在各種工業設備中,如直流電機驅動、自動化設備和高功率控制系統,IPP126N10N3 G-VB 能夠實現高效的電流開關,確保設備穩定運行並提高整體系統效率。

5. **太陽能逆變器**:在光伏發電系統的逆變器中,這款 MOSFET 能夠用來高效地轉換直流電到交流電,支持高功率轉換,同時維持低能量損耗,適用於大規模光伏發電系統。

通過其高電流承載能力和低導通電阻,IPP126N10N3 G-VB 是各種高功率和高效能應用的理想選擇,能夠在多種領域提供可靠的性能和效率。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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