產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
2.5V |
100A |
|
|
9mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
2.5V |
100A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
2.5V |
100A |
|
Trench |
二、IPP126N10N3 G-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:100A
- **技術類型**:溝槽型(Trench)技術
- **耗散功率 (Ptot)**:約 150W(具體取決於散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:1.0℃/W(結到殼)
- **工作溫度範圍**:-55℃ 到 175℃
領域和模塊應用:
三、應用領域和模組示例
1. **高效開關電源(SMPS)**:IPP126N10N3 G-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其非常適合用於高效開關電源的主要開關元件。它能顯著減少功率損耗,並確保高效的電流轉換,適合用於伺服器電源、工業電源等高性能電源系統。
2. **電動汽車驅動**:在電動汽車和混合動力汽車的驅動系統中,這款 MOSFET 可以作為電機控制開關,支持高電流電機的高效驅動,同時降低能量損耗,提高系統的總體效率和可靠性。
3. **電池管理系統**:該 MOSFET 適用於電池管理系統中的功率開關模組,能夠有效處理高電流負載,提供穩定的電流管理,同時保護電池免受過電流影響。
4. **工業設備**:在各種工業設備中,如直流電機驅動、自動化設備和高功率控制系統,IPP126N10N3 G-VB 能夠實現高效的電流開關,確保設備穩定運行並提高整體系統效率。
5. **太陽能逆變器**:在光伏發電系統的逆變器中,這款 MOSFET 能夠用來高效地轉換直流電到交流電,支持高功率轉換,同時維持低能量損耗,適用於大規模光伏發電系統。
通過其高電流承載能力和低導通電阻,IPP126N10N3 G-VB 是各種高功率和高效能應用的理想選擇,能夠在多種領域提供可靠的性能和效率。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性