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IPP50R250CP-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IPP50R250CP-VB 產品簡介

IPP50R250CP-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,採用 TO220 封裝,專為高壓功率轉換和開關應用設計。該器件的最大漏源電壓為 650V,最大漏極電流為 20A,在 VGS = 10V 條件下的導通電阻為 160mΩ。該 MOSFET 採用超級結(Super Junction,SJ)多層 EPI 技術,能夠在高壓條件下實現低導通損耗和高開關效率,適合用於要求高效、低功耗的電源管理系統中。其出色的耐壓能力和開關性能使其成為高電壓應用的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
二、IPP50R250CP-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:20A
- **技術類型**:超級結(SJ)多層 EPI 技術
- **耗散功率 (Ptot)**:約 150W(具體取決於散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:0.75℃/W(結到殼)
- **開關特性**:
- 開啟時間:約 30ns
- 關斷時間:約 50ns
- **工作溫度範圍**:-55℃ 到 175℃

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組示例

1. **高壓開關電源(SMPS)**:IPP50R250CP-VB 的高耐壓能力和低導通損耗使其非常適用於高壓開關電源的功率開關模組。在工業電源和電力設備中,該 MOSFET 可有效提升電源的轉換效率,並減少功耗。

2. **照明系統中的 LED 驅動器**:在高壓 LED 驅動器中,該 MOSFET 的高電壓承受能力和低損耗特性使其能夠提供穩定的電流驅動,確保 LED 系統的高效能和長壽命,廣泛應用於商業和工業照明系統中。

3. **太陽能逆變器**:IPP50R250CP-VB 的高壓能力使其非常適合太陽能發電系統中的逆變器模組,在將直流電轉換為交流電的過程中提供高效的開關性能,有助於提高光伏發電系統的整體效率。

4. **電機驅動控制**:在工業電機控制系統中,該 MOSFET 可用於處理高電壓功率開關需求,提供高效能的電流調節,從而提高電機的運行穩定性和能效。

5. **不間斷電源(UPS)**:IPP50R250CP-VB 能夠在 UPS 系統中提供穩定的高壓開關功能,確保電源切換時能夠快速回應,減少系統能量損耗,提高系統的效率和可靠性。

通過其高電壓處理能力和優秀的開關性能,IPP50R250CP-VB 是高效能、高壓應用的理想解決方案,適用於各種需要高電壓、高效功率轉換的系統。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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