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IPP60R520E6-VB 產品詳細

產品簡介:

一、產品簡介
**IPP60R520E6-VB** 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝為TO220,設計用於高電壓、高可靠性應用。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,適合要求高耐壓的電力電子設備。其基於超級結多層外延(SJ_Multi-EPI)技術,提供相對較高的導通電阻500mΩ,並能處理最高9A的漏極電流。該產品主要應用於高壓開關電源和逆變器等場景,提供穩定的開關性能和良好的功率處理能力。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
二、詳細參數說明
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:9A
- **技術**:超級結多層外延(SJ_Multi-EPI)
- **最大功率耗散**:依賴於具體的散熱條件,TO220封裝通常能承受較高的功率耗散。
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 +150°C

領域和模塊應用:

三、應用領域和模組
1. **開關電源(SMPS)**
IPP60R520E6-VB 適用於各種開關模式電源(SMPS),尤其是在需要高電壓保護的場合。由於其650V的漏源電壓能力和良好的耐熱性,這款MOSFET特別適合用於中等功率的開關電源應用,例如電源適配器和小型工業電源模組。

2. **逆變器系統**
在逆變器系統中,尤其是那些用於太陽能光伏系統和電動汽車驅動系統的逆變器,IPP60R520E6-VB 提供可靠的開關性能。它的高耐壓和相對較高的導通電阻使其適用於中等功率的逆變器應用,幫助實現高效的AC-DC和DC-AC轉換。

3. **功率模組**
該MOSFET也適合用於各種功率模組中,包括電機驅動和工業控制模組。雖然其導通電阻較高,但在需要處理高電壓並且允許較高導通電阻的應用中,該產品仍能提供穩定的性能。

4. **照明控制系統**
IPP60R520E6-VB 可用於照明控制系統,如高功率LED驅動器和HID照明系統。其高耐壓性能確保在高電壓環境下的穩定運行,而較高的導通電阻適用於對效率要求不那麼苛刻的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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