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IPP80P03P3L-04-VB 產品詳細

產品簡介:

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IPP80P03P3L-04-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,封裝類型為TO220,採用先進的Trench技術。它具備高達-30V的漏源極電壓(VDS)和±20V的柵源極電壓(VGS),適合用於高效能的負極開關應用。該MOSFET的開啟電壓(Vth)為-3V,使其在相對較低的柵源極電壓下即可開啟。其低導通電阻(RDS(ON))為4mΩ(@VGS=10V)和5mΩ(@VGS=4.5V)保證了高電流下的低功率損耗,最大漏極電流(ID)為-100A。這些特性使得IPP80P03P3L-04-VB 在高電流負載和高效開關應用中表現卓越。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -30V -3V -100A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-P -30V -3V -100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-P -30V -3V -100A Trench
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- **封裝類型**:TO220
- **溝道類型**:單P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:-30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:-3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-100A
- **技術類型**:Trench技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 至 150°C
- **開關頻率**:適用於高頻率應用

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領域和模塊應用:

示例:**

1. **高功率開關**:IPP80P03P3L-04-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於高功率開關應用,如DC-DC轉換器中的負極開關。這能夠確保系統的高效能和穩定性,減少功率損耗。

2. **電機控制**:在電機控制器中,該MOSFET 可用於高效的負極開關,特別是在需要高電流負載的電動機控制應用中,確保電動機的平穩運行和高效驅動。

3. **電池保護系統**:在電池保護和管理系統中,IPP80P03P3L-04-VB 的高電流處理能力和低導通電阻有助於高效地控制充電和放電過程,提升電池的安全性和壽命。

4. **功率放大器**:在功率放大器中,該MOSFET 的高電流能力和低功耗特性使其適合用作負極開關,提供高效能的功率放大和處理。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統中,如電動座椅和窗戶控制等模組,該MOSFET 可以作為高效的開關元件,提供穩定和可靠的性能,滿足汽車應用對高電流和高效能的要求。

這些應用表明,IPP80P03P3L-04-VB 在需要高電流處理和低功率損耗的各類電子和電力模組中具有廣泛的應用潛力。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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