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IRF7301TR-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IRF7301TR-VB產品簡介

IRF7301TR-VB是一款雙N溝道MOSFET,封裝形式為SOP8,適用於低壓開關應用。這款器件具有兩個獨立的N溝道MOSFET,專為高效功率轉換和開關設計。其漏源電壓(VDS)為20V,柵極源極電壓(VGS)為±12V,能夠在較低柵極驅動電壓下提供出色的開關性能。IRF7301TR-VB採用先進的Trench技術,實現了較低的導通電阻(RDS(ON))和高電流處理能力。其閾值電壓(Vth)範圍為0.5V到1.5V,確保在低壓條件下實現可靠的導通。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A 19mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+N 20V 0.5~1.5V 7.1A Trench
二、IRF7301TR-VB詳細參數說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N溝道MOSFET(N+N)
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±12V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7.1A
- **技術**:Trench
- **柵極電荷(Qg)**:低柵極電荷,支持快速開關
- **功耗**:需要有效的熱管理設計,確保在額定範圍內工作

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組舉例

1. **低壓DC-DC轉換器**:IRF7301TR-VB非常適用於低壓DC-DC轉換器模組中。其20V的漏源電壓和低導通電阻使其在轉換效率要求較高的電源管理系統中表現出色,特別是在消費電子和移動設備中,幫助實現更高的能量效率和更低的功耗。

2. **電池管理系統(BMS)**:在電池管理系統中,該MOSFET能夠提供高效的功率開關和電池保護,特別適用於鋰電池的充放電控制和過流保護。其雙通道配置能夠簡化電池管理系統中的電路設計。

3. **負載開關和電源控制模組**:IRF7301TR-VB適合用於各種低壓負載開關應用,如USB介面供電管理、LED驅動和其他負載開關模組。其低導通電阻確保了高效的負載控制和能量轉換。

4. **電機控制系統**:該MOSFET也可用於小功率電機控制系統,適用於低壓直流電機的開關和驅動,確保了電機的精確控制和高效能量傳遞。

總的來說,IRF7301TR-VB憑藉其雙N溝道結構、低導通電阻以及高效開關性能,廣泛應用於低壓電源轉換、電池管理和負載控制等領域,特別適用於可攜式設備、消費電子和汽車電子系統中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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