IRF7455TR-VB - VBsemi MOSFETs製造商

IRF7455TR-VB 產品詳細

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產品簡介：

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IRF7455TR-VB 是一種高效的單N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，具有非常低的導通電阻（RDS(ON)），分別為11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V。其閾值電壓（Vth）為1.7V，使其能夠在較低的柵極電壓下導通。IRF7455TR-VB 的最大漏極電流（ID）為13A，採用Trench技術，特別適合用於高效開關和低功耗應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A			8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|---------------------|-----------------------|
| 器件型號 | IRF7455TR-VB |
| 封裝 | SOP8 |
| 極性 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 11mΩ @ VGS=4.5V |
| | 8mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 13A |
| 技術 | Trench |

領域和模塊應用：

應用領域與模組

1. **可攜式電子設備**
- IRF7455TR-VB 非常適合用於可攜式電子設備中的電源管理，如智能手機、平板電腦和可穿戴設備。其低導通電阻和高電流處理能力能夠提高能效並延長電池壽命，特別是在要求緊湊和高效的設計中表現優異。

2. **電源管理模組**
- 在電源管理模組中，如DC-DC轉換器和負載開關，IRF7455TR-VB 的高效開關性能和低RDS(ON)值能夠減少功率損耗，提升系統的整體效率。它的高電流能力（13A）使其適合用於高效電源設計。

3. **開關電路**
- IRF7455TR-VB 適用於各種開關電路，如電機驅動和負載開關。其低導通電阻和高頻開關能力使其在要求快速開關和高效能的應用中表現良好，適合用於小型化開關設備。

4. **工業應用**
- 在工業控制系統中，該MOSFET可以用於驅動和控制電路，如自動化控制和感測器介面。其小型SOP8封裝和高電流處理能力，使其適合在緊湊型工業設備中使用，提高設備的可靠性和效率。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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