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IRF7456TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF7456TRPBF-VB MOSFET 產品簡介:

**IRF7456TRPBF-VB** 是一款高性能 **單級N溝道MOSFET**,採用了 **SOP8** 封裝,設計用於需要高效能和高電流處理的應用。該MOSFET 支持 **30V** 的 **漏源電壓(VDS)** 和 ±20V 的 **柵源電壓(VGS)**,適合用於低電壓高電流的場景。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,確保能夠在較低的柵極驅動電壓下可靠開啟。MOSFET 在 **4.5V柵源電壓** 下的 **RDS(ON)** 為 **5mΩ**,在 **10V柵源電壓** 下為 **4mΩ**,顯示出極低的導通電阻。其 **漏電流(ID)** 額定值為 **18A**,並採用 **Trench** 技術,優化了開關性能和熱管理,適用於各種高效能電路設計和功率管理應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
詳細參數說明:

- **封裝:** SOP8
- **配置:** 單級N溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS):** 30V
- **柵源電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **RDS(ON):** 5mΩ @ VGS = 4.5V
4mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流(ID):** 18A
- **技術:** Trench
- **開關速度:** 高,適合快速開關應用
- **功耗:** 低,適合高效能電路設計

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領域和模塊應用:

應用實例:

1. **高效能電源管理:**
IRF7456TRPBF-VB 非常適合用於 **高效能DC-DC變換器** 和 **電源管理模組**。其低RDS(ON) 和高電流處理能力保證了高效能的電源轉換,適用於需要高電流和低導通損耗的電源系統。

2. **電池驅動應用:**
在 **電池管理系統** 中,這款MOSFET 可用於 **電池開關** 和 **電池保護電路**。其高電流承載能力和低導通電阻有助於提升系統的整體效率和電池壽命,確保穩定的電池管理。

3. **LED照明驅動:**
IRF7456TRPBF-VB 也適用於 **LED驅動器**,尤其是在需要高亮度和高功率LED應用中。其低RDS(ON) 確保了高效的能量轉換,適合用於長壽命的LED照明系統。

4. **負載開關:**
該MOSFET 在 **負載開關** 應用中表現優異,包括 **小型電機** 和 **繼電器驅動** 等。其高開關速度和低功耗特性使其成為高效能小型電源和控制模組中的理想選擇。

這些應用示例展示了 IRF7456TRPBF-VB 在低電壓、高電流和高效能電路中的廣泛適用性,特別是在要求快速開關和高可靠性的應用場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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