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IRF7457TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF7457TRPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRF7457TRPBF-VB 是一款高效的單 N-channel MOSFET,封裝形式為 SOP8。它專為低電壓高電流應用設計,具有優秀的開關性能和低功耗特性。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 30V,適合處理中低電壓應用。其柵源電壓(VGS)範圍為 ±20V,使其在各種驅動電路中表現出色。閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保低柵極驅動需求。IRF7457TRPBF-VB 在 VGS 為 4.5V 時,RDS(ON) 低至 5mΩ,在 VGS 為 10V 時進一步降低至 4mΩ,提供極低的導通電阻和高效的電流傳輸。最大連續漏電流(ID)為 18A,使其能夠處理大電流負載,適用於高效能開關和功率轉換應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
詳細參數說明

- **封裝形式:** SOP8
- **配置:** 單 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源電壓):** 30V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON):** 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 4mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏電流):** 18A
- **技術:** Trench 技術,提供高效率和低功耗表現。

領域和模塊應用:

應用示例

1. **高效電源開關:**
IRF7457TRPBF-VB 的低 RDS(ON) 和高電流承載能力使其非常適合用於高效電源開關應用。它能夠在電源管理系統中提供低損耗的開關控制,適用於電源供應器、電池管理系統等。

2. **DC-DC 轉換器:**
在 DC-DC 轉換器設計中,IRF7457TRPBF-VB 的低導通電阻和高電流能力使其成為理想選擇。這能有效地轉換和調節電壓,提高轉換效率,並減少功率損耗。

3. **電機驅動電路:**
由於其高電流承載能力,該 MOSFET 適用於電機驅動電路,如直流電機驅動器。它可以提供穩定的開關性能,適合用於機器人、電動車輛等應用。

4. **高功率負載開關:**
IRF7457TRPBF-VB 在高功率負載開關中表現出色,適用於需要高電流和低導通損耗的應用,如工業自動化設備和高功率電子設備中的負載切換。

這些特點使 IRF7457TRPBF-VB 成為需要低電壓、高效能開關和高電流處理的應用的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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