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IRF7469TR-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF7469TR-VB MOSFET 產品簡介

IRF7469TR-VB 是一款單 N-channel MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為低壓、高效應用設計,具有優異的開關性能和低功耗特性。其漏源電壓(VDS)為 40V,適用於中低電壓應用。該器件的柵源電壓(VGS)範圍為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.8V,確保其能夠在較低的驅動電壓下高效工作。IRF7469TR-VB 在 VGS 為 4.5V 時的導通電阻為 16mΩ,而在 VGS 為 10V 時進一步降低至 14mΩ,這使其在開關過程中具有較低的導通損耗。最大連續漏電流(ID)為 10A,適合多種高效電源開關和功率轉換應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A 14mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 40V 1.8V 10A Trench
詳細參數說明

- **封裝形式:** SOP8
- **配置:** 單 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源電壓):** 40V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.8V
- **RDS(ON):** 16mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 14mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏電流):** 10A
- **技術:** Trench 技術,提供低功耗和高效的導通性能。

領域和模塊應用:

應用示例

1. **電池管理系統:**
IRF7469TR-VB 的低導通電阻和中等電壓處理能力使其非常適合用於電池管理系統(BMS)。該 MOSFET 能高效地管理電池充放電過程,確保系統穩定性和能量效率。

2. **DC-DC 轉換器:**
在 DC-DC 轉換器中,IRF7469TR-VB 的低 RDS(ON) 提供了低損耗的電壓轉換,有助於提高轉換效率並減少功率損耗。它特別適合用於移動設備或其他可攜式電子產品中的電壓調節。

3. **負載開關:**
由於其高電流能力和低開關損耗,該 MOSFET 適用於高效負載開關應用,例如在工業設備或家用電器中控制負載的通斷,提供快速回應和穩定操作。

4. **電機驅動控制:**
IRF7469TR-VB 還可以用於中小型直流電機驅動電路中。其高電流承載能力和低導通電阻使其能夠提供穩定的電機控制,適用於機器人、自動化設備等領域。

這些特點使 IRF7469TR-VB 成為適用於低壓、高效開關應用的理想選擇,在各類需要穩定性和高效率的電源管理和負載控制領域中都表現出色。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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