聯繫方式 線上諮詢
語言

推广型号

您現在的位置 > 首頁 > 推广型号

IRF7811AVTR-VB 產品詳細

返回上級頁面

產品簡介：

產品簡介

IRF7811AVTR-VB 是一款高性能的N溝道功率MOSFET，封裝為SOP8。這款MOSFET的漏源電壓（VDS）為30V，柵源電壓（VGS）為±20V，具有較低的閾值電壓（Vth）1.7V，使其在較低的柵極電壓下即可導通。IRF7811AVTR-VB 的導通電阻（RDS(ON)）為11mΩ@VGS=4.5V 和 8mΩ@VGS=10V，最大漏極電流（ID）為13A。採用Trench技術，這款MOSFET提供了優異的開關性能和低功耗特性，適用於高效能的電源管理和功率轉換應用。

文件下載

下載PDF檔案
立即下載
點擊查看大圖

產品參數：

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|---------------------|-----------------------|
| 器件型號 | IRF7811AVTR-VB |
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 11mΩ @ VGS=4.5V |
| | 8mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 13A |
| 技術 | Trench |

領域和模塊應用：

應用領域與模組

1. **電源管理系統**
- IRF7811AVTR-VB 非常適用於電源管理系統，特別是在需要高效開關和低功耗的場景。其低RDS(ON)特性和高電流處理能力使其在電源開關和調節模組中表現出色，幫助提高電源系統的效率和可靠性。

2. **DC-DC轉換器**
- 在DC-DC轉換器中，IRF7811AVTR-VB 的低導通電阻和高電流能力使其能夠減少轉換損耗，提高轉換器的整體效率。這款MOSFET 適合用於高效的電源轉換應用，如電腦電源、工業電源模組等。

3. **負載開關**
- 這款MOSFET 也非常適用於負載開關應用。其快速開關能力和低功耗特性使其能夠高效地控制負載，適用於需要高開關頻率和高負載處理能力的應用，如電源開關、負載開關模組等。

4. **汽車電子**
- 在汽車電子系統中，IRF7811AVTR-VB 的高性能和可靠性使其適用於各種電源管理和控制電路。其緊湊的SOP8封裝使其能夠在空間受限的應用中提供優異的性能，非常適合用於汽車電源管理和開關控制模組。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

400-655-8788

微信諮詢

一鍵置頂
打樣申請
線上諮詢
電話諮詢
微信諮詢