IRF7831UTRPBF-VB - VBsemi MOSFETs製造商

IRF7831UTRPBF-VB 產品詳細

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IRF7831UTRPBF-VB 是一種高性能的N溝道功率MOSFET，採用SOP8封裝。該MOSFET具備30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為1.7V，使其能夠在較低的柵極電壓下導通。IRF7831UTRPBF-VB 的導通電阻（RDS(ON)）非常低，分別為4mΩ@VGS=4.5V 和 3mΩ@VGS=10V，支持高達25A的漏極電流（ID）。採用Trench技術，IRF7831UTRPBF-VB 提供了優異的開關性能和高效能，適合於各種高性能電源和功率管理應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	25A			3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	25A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	25A		Trench

詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|---------------------|-----------------------|
| 器件型號 | IRF7831UTRPBF-VB |
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 30V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 4mΩ @ VGS=4.5V |
| | 3mΩ @ VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 25A |
| 技術 | Trench |

領域和模塊應用：

應用領域與模組

1. **高效電源管理**
- IRF7831UTRPBF-VB 非常適用於高效電源管理系統。在這種應用中，其低RDS(ON) 和高電流處理能力能夠有效地降低功耗，提高系統的整體效率。它適合用作電源開關和調節器中，能夠提供穩定的電流控制，特別適合高功率需求的設備。

2. **DC-DC轉換器**
- 在DC-DC轉換器中，IRF7831UTRPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其能夠減少轉換損耗，提升轉換效率。這款MOSFET 適合用於要求高效能和高功率處理的應用，如高性能電腦電源和移動設備的電源管理模組。

3. **負載開關**
- 該MOSFET 也適用於負載開關應用，其低RDS(ON)值和高開關速度能夠有效控制負載，降低開關過程中的功率損耗。適用於需要高頻開關和大電流負載的應用，如電源開關、汽車電子系統等。

4. **汽車電子**
- IRF7831UTRPBF-VB 的高性能和緊湊封裝使其非常適合用於汽車電子系統。它能夠在空間受限的汽車應用中提供高效能，適用於汽車電源管理、電機驅動和開關控制模組，幫助提升汽車電子系統的可靠性和效率。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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