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IRF7835UTRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

一、IRF7835UTRPBF-VB 產品簡介
IRF7835UTRPBF-VB 是一款高效能單N溝道MOSFET,採用SOP8封裝,設計用於低電壓和高電流開關應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,使其適合在較低電壓下操作。該MOSFET 具有1.7V的閾值電壓(Vth),可在較低的柵極電壓下快速導通。IRF7835UTRPBF-VB 的導通電阻(RDS(ON))非常低,為5mΩ@VGS=4.5V 和 4mΩ@VGS=10V,能夠顯著減少開關損耗,提高電源效率。採用Trench工藝,該MOSFET 提供了出色的開關性能和熱管理能力,適用於需要高電流處理和低功耗的場合。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
二、IRF7835UTRPBF-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術**:Trench工藝
- **開關速度**:快速開關回應
- **功耗**:低導通電阻有助於減少功耗,提高系統效率

領域和模塊應用:

三、應用領域及模組示例
1. **高電流開關**:
IRF7835UTRPBF-VB 適用於需要處理高電流的開關應用,如電源開關和負載開關。其高漏極電流能力(18A)和低導通電阻使其能夠有效控制大電流負載,適合用於電動工具、電源模組和大功率負載的開關控制。

2. **DC-DC轉換器**:
在DC-DC轉換器中,IRF7835UTRPBF-VB 可作為開關元件使用。其低導通電阻有助於減少轉換過程中的功耗,提高轉換效率。適用於可攜式電子設備、電腦電源和其他需要高效電源轉換的應用。

3. **電池供電系統**:
對於電池供電系統,IRF7835UTRPBF-VB 提供了高效的開關功能。其低導通電阻和高電流處理能力使其適合用於電池管理系統中的開關控制,確保電池充電和放電過程中的高效能和穩定性。

4. **LED驅動器**:
在LED驅動器中,IRF7835UTRPBF-VB 可用來控制LED的開關和調光功能。由於其高開關速度和低功耗特性,它能夠有效調節LED亮度,同時提高LED驅動電路的效率和穩定性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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