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IRF8113GTRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF8113GTRPBF-VB MOSFET 產品簡介

IRF8113GTRPBF-VB 是一款高性能 N-channel MOSFET,採用 SOP8 封裝,專為需要低導通電阻和高電流處理能力的應用設計。它具有卓越的開關性能和低功耗特性,適合用於要求高效電流傳輸的電源管理和負載控制系統。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)範圍為 ±20V,確保了在不同工作條件下的穩定性。閾值電壓(Vth)為 1.7V,能夠在較低的柵極電壓下導通。在 VGS 為 4.5V 時的導通電阻(RDS(ON))為 5mΩ,進一步降低至 4mΩ 在 VGS 為 10V 時,提供了極低的功耗和高效能。其最大連續漏電流(ID)為 18A,適合處理大電流的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A 4mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 18A Trench
詳細參數說明

- **封裝形式:** SOP8
- **配置:** 單 N-channel MOSFET
- **VDS(漏源電壓):** 30V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(柵極閾值電壓):** 1.7V
- **RDS(ON):** 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON):** 4mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續漏電流):** 18A
- **技術:** Trench 技術,提供低功耗和高效能的開關性能

領域和模塊應用:

應用示例

1. **DC-DC 轉換器:**
IRF8113GTRPBF-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用於 DC-DC 轉換器中。它能夠有效提高電源轉換效率,減少功率損耗,廣泛應用於便攜設備、電力轉換模組以及高效能電源供應器中。

2. **負載開關控制:**
在各種消費電子和工業應用中,這款 MOSFET 可作為負載開關控制器。由於其優異的開關性能和低功耗特性,能夠高效地控制負載,適用於電機控制、電源管理和負載開關模組等應用。

3. **電機驅動:**
IRF8113GTRPBF-VB 的高電流能力和低導通電阻使其在電機驅動應用中表現突出。它適合用於各種電機控制系統,例如家用電器、電動工具以及工業自動化設備的電機驅動模組。

4. **電池管理系統:**
由於其低功耗和高效能特性,該 MOSFET 非常適合用於電池管理系統中。在電池的充放電過程中,它能夠有效控制電流流動,提升系統效率和電池壽命,廣泛應用於移動設備、電動汽車等領域。

通過這些特點,IRF8113GTRPBF-VB 在電源管理、負載控制和電機驅動等領域中表現優異,是高效電流處理和低功耗應用的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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