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IRF840LCPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF840LCPBF-VB 產品簡介
IRF840LCPBF-VB 是一款採用 TO-220 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,適用於高壓應用。它具有 500V 的漏源擊穿電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),能夠承受較高電壓。其開啟電壓 (Vth) 為 3.1V,導通電阻 (RDS(ON)) 為 660mΩ @ VGS=10V,最大漏極電流 (ID) 為 13A。該器件採用平面 (Plannar) 技術製造,性能穩定,具有較低的柵極電荷和開關損耗,非常適用於功率轉換和高壓開關電路。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
IRF840LCPBF-VB 參數說明
- **封裝類型**: TO-220
- **溝道配置**: 單 N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: 平面 (Plannar)
- **耗散功率**: 125W
- **結與環境的熱阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **結與殼體的熱阻 (RθJC)**: 1.1°C/W
- **開關時間**: 開啟時間約為 24ns,關閉時間約為 140ns

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
1. **電源管理和轉換器**
IRF840LCPBF-VB 非常適用於開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中。其高電壓和耐用的柵極特性能夠幫助電源管理系統有效地在高壓環境下進行能量轉換和傳輸。

2. **工業電機驅動**
在電機控制系統中,該 MOSFET 可用於驅動電機和管理高壓電流。它的快速開關特性使其適合需要高效能量切換的工業電機控制模組。

3. **照明控制系統**
高電壓 MOSFET 如 IRF840LCPBF-VB 常被用於高壓 LED 驅動器和照明控制模組中,確保照明設備在高壓下穩定運行並提高能源效率。

4. **不間斷電源 (UPS)**
在 UPS 系統中,IRF840LCPBF-VB 能夠用於高壓逆變器和整流器模組中,以確保系統在斷電時繼續穩定供電。

5. **太陽能逆變器**
對於太陽能發電系統,MOSFET 經常用於光伏逆變器模組中,IRF840LCPBF-VB 的高電壓承受能力使其非常適合管理從太陽能板接收的電能轉換。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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