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IRF8714TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF8714TRPBF-VB 產品簡介
IRF8714TRPBF-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為低電壓應用設計。它具有 30V 的漏源擊穿電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,具有極低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 11mΩ,而在 VGS=10V 時則為 8mΩ。最大漏極電流 (ID) 為 13A。其採用了先進的 Trench 技術,具有更高的開關效率和更低的導通損耗,非常適用於高效能電路設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 30V 1.7V 13A Trench
IRF8714TRPBF-VB 參數說明
- **封裝類型**: SOP8
- **溝道配置**: 單 N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench
- **耗散功率**: 2.5W
- **結與環境的熱阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **結與殼體的熱阻 (RθJC)**: 5°C/W
- **開關時間**: 開啟時間約為 17ns,關閉時間約為 48ns

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
1. **DC-DC 轉換器**
IRF8714TRPBF-VB 是 DC-DC 轉換器中理想的選擇,特別是在需要高效率的低電壓應用中。其低導通電阻和快速開關特性使其能夠在高負載條件下保持穩定性能。

2. **電機驅動**
在電機驅動應用中,該 MOSFET 能夠提供高電流支持和低開關損耗,適合用於小型電機和步進電機控制系統中,提升整體系統的效率和回應速度。

3. **電源管理**
在電源管理模組中,IRF8714TRPBF-VB 的高效能開關特性使其適合用於電源開關和電流保護電路,保證電源的穩定性和可靠性。

4. **消費電子產品**
對於消費電子產品,如筆記本電腦和移動設備,MOSFET 的低導通電阻和小封裝設計使其適用於功率調節和負載開關,優化設備的電池使用壽命和性能。

5. **LED 驅動器**
在 LED 驅動器應用中,IRF8714TRPBF-VB 可以用於高效的 LED 控制電路中,提供穩定的電流和較低的功率損耗,增強整體照明效果。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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