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IRF9388TRPBF-VB 產品詳細

產品簡介:

IRF9388TRPBF-VB 產品簡介
IRF9388TRPBF-VB 是一款採用 SOP8 封裝的單 P 溝道功率 MOSFET,專為負電壓應用設計。它具有 -30V 的漏源擊穿電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),適合用於高電壓負載的開關和調節。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 -2.5V,具有極低的導通電阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 15mΩ,而在 VGS=10V 時則為 11mΩ。最大漏極電流 (ID) 為 -13.5A。採用先進的 Trench 技術,IRF9388TRPBF-VB 提供高效的開關性能和低開關損耗,非常適用於需要高效率和高可靠性的電路設計。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-P -30V -2.5V -13.5A Trench
IRF9388TRPBF-VB 參數說明
- **封裝類型**: SOP8
- **溝道配置**: 單 P 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -13.5A
- **技術**: Trench
- **耗散功率**: 2.5W
- **結與環境的熱阻 (RθJA)**: 62°C/W
- **結與殼體的熱阻 (RθJC)**: 5°C/W
- **開關時間**: 開啟時間約為 20ns,關閉時間約為 60ns

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
1. **DC-DC 轉換器**
IRF9388TRPBF-VB 可用於 DC-DC 轉換器的負載開關部分。其高效的開關性能和低導通電阻使其適合於高效能轉換電路,幫助提升整體轉換效率和系統穩定性。

2. **電機控制**
在電機控制應用中,特別是在需要高電流和低開關損耗的情況下,該 MOSFET 能夠提供穩定的負載開關功能,非常適合用於小型電機和步進電機控制系統。

3. **電源管理**
對於電源管理模組,IRF9388TRPBF-VB 能夠有效地管理負電壓環境中的電流流動,用於電源開關和過流保護電路中,確保系統的穩定性和保護。

4. **消費電子產品**
在消費電子產品中,例如筆記本電腦和移動設備,MOSFET 的小封裝和低導通電阻使其適用於功率調節和負載開關,有助於優化電池使用壽命和設備性能。

5. **LED 驅動器**
在 LED 驅動器應用中,IRF9388TRPBF-VB 適合用於高效能的 LED 控制電路。其低開關損耗和高電流能力可以提高 LED 照明系統的效率和穩定性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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